| 型号 | 功能描述 | 生产厂家&企业 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
N-Channel 30-V (D-S) MOSFET FEATURES • TrenchFET® Power MOSFET • 100 Rg and UIS Tested • Compliant to RoHS Directive 2011/65/EU APPLICATIONS • OR-ing • Server • DC/DC | VBSEMI 微碧半导体 |   | ||
N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor Features: ● Low Gate Charge for Fast Switching Application ● Low RDS(ON) to Minimize Conductive Loss ● 100% EAS Guaranteed ● Optimized V(BR)DSS Ruggedness ● Green Device Available Description: The ADM80N03Z uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with l | ADV 爱德微 | | ||
N-Channel 30-V (D-S) MOSFET 文件：1.00146 Mbytes Page：7 Pages | VBSEMI 微碧半导体 | | ||
Fast Switching Characteristic 文件：82.72 Kbytes Page：7 Pages | A-POWER 富鼎先进电子 | | ||
Fast Switching Characteristic 文件：82.72 Kbytes Page：7 Pages | A-POWER 富鼎先进电子 | |
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
AP |
22+ |
TO-263 |
29851 |
原装正品现货,可开13个点税 |
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AP |
24+ |
TO263 |
80000 |
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VBsemi |
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SIEMENS |
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ZIP-3 |
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原装现货海量库存欢迎咨询 |
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Infineon |
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INFINEON |
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2020-6-5SL431AM-可编程电压基准
特点 •可编程输出电压为36伏特 •灌电流能力的一点○毫安至100mA •典型的低动态阻抗0.15Ω •温度补偿操作的全额定工作温度 •相当于全范围温度为50ppm/ ° C（典型值）系数 •低输出噪声电压 •电压参考公差：±1.0％（打= 25℃） 应用 办公室 通信设备 测量设备 国内电气化等
2013-3-15
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