| 型号 | 功能描述 | 生产厂家&企业 | LOGO | 操作 |
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N-Channel30-V(D-S)MOSFET FEATURES •TrenchFET®PowerMOSFET •100RgandUISTested •ComplianttoRoHSDirective2011/65/EU APPLICATIONS •OR-ing •Server •DC/DC | VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司 |  |   | |
N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor Features: ●LowGateChargeforFastSwitchingApplication ●LowRDS(ON)toMinimizeConductiveLoss ●100%EASGuaranteed ●OptimizedV(BR)DSSRuggedness ●GreenDeviceAvailable Description: TheADM80N03ZusesadvancedtrenchtechnologyanddesigntoprovideexcellentRDS(ON)withl | ADVAdvanced (Shenzhen) Electronics Co.,Ltd 爱德微爱德微(深圳)电子有限公司 |  | | |
N-Channel30-V(D-S)MOSFET 文件：1.00146 Mbytes Page：7 Pages | VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司 | | | |
FastSwitchingCharacteristic 文件：82.72 Kbytes Page：7 Pages | A-POWERAdvanced Power Electronics Corp. 富鼎先进电子富鼎先进电子股份有限公司 |  | | |
FastSwitchingCharacteristic 文件：82.72 Kbytes Page：7 Pages | A-POWERAdvanced Power Electronics Corp. 富鼎先进电子富鼎先进电子股份有限公司 | | |
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
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INFINEON/英飞凌 |
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原装现货假一赔十 |
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特点•可编程输出电压为36伏特•灌电流能力的一点○毫安至100mA•典型的低动态阻抗0.15Ω•温度补偿操作的全额定工作温度•相当于全范围温度为50ppm/°C（典型值）系数•低输出噪声电压•电压参考公差：±1.0％（打=25℃）应用办公室通信设备测量设备国内电气化等
2013-3-15
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