| 型号 | 功能描述 | 生产厂家 企业 | LOGO | 操作 |
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Hybrid IGBT, 50 A, 650 V Using the novel field stop 4th generation IGBT technology and the 1.5th generation SiC Schottky Diode technology, AFGHL50T65SQDC offers the optimum performance with both low conduction and switching losses for high efficiency operations in various applications, especially totem pole bridgeless | ONSEMI 安森美半导体 |   | ||
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| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
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特点 •可编程输出电压为36伏特 •灌电流能力的一点○毫安至100mA •典型的低动态阻抗0.15Ω •温度补偿操作的全额定工作温度 •相当于全范围温度为50ppm/ ° C（典型值）系数 •低输出噪声电压 •电压参考公差：±1.0％（打= 25℃） 应用 办公室 通信设备 测量设备 国内电气化等
2013-3-15
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