SIHU7N60E-GE3价格

参考价格:¥5.9595

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型号 功能描述 生产厂家 企业 LOGO 操作

E Series Power MOSFET

FEATURES • Low figure-of-merit (FOM) Ron x Qg • Low input capacitance (Ciss) • Reduced switching and conduction losses • Ultra low gate charge (Qg) • Avalanche energy rated (UIS) • Material categorization: for definitions of compliance please see www.vishay.com/doc?99912 APPLICATIONS • Ser

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SIHU7N60E-GE3产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    SIHU7N60E-GE3

  • 功能描述

    MOSFET 600V 600mOhm@10V 7A N-Ch E-SRS

  • RoHS

  • 制造商

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压

    650 V

  • 闸/源击穿电压

    25 V

  • 漏极连续电流

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通)

    0.014 Ohms

  • 配置

    Single

  • 安装风格

    Through Hole

  • 封装/箱体

    Max247

  • 封装

    Tube

更新时间:2025-11-24 20:00:02
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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