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SIHP30N60E价格
参考价格：￥19.3555
型号：SIHP30N60E-E3 品牌：Vishay 备注：这里有SIHP30N60E多少钱，2025年最近7天走势，今日出价，今日竞价，SIHP30N60E批发/采购报价，SIHP30N60E行情走势销售排行榜，SIHP30N60E报价。| 型号 | 功能描述 | 生产厂家 企业 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
SIHP30N60E | E Series Power MOSFET FEATURES • Low figure-of-merit (FOM) Ron x Qg • Low input capacitance (Ciss) • Reduced switching and conduction losses • Ultra low gate charge (Qg) • Avalanche energy rated (UIS) • Material categorization: for definitions of compliance please see www.vishay.com/doc?99912 APPLICATIONS • | VishayVishay Siliconix 威世威世科技公司 |   | |
SIHP30N60E | E Series Power MOSFET 文件：203.6 Kbytes Page：8 Pages | VishayVishay Siliconix 威世威世科技公司 | | |
SIHP30N60E | E Series Power MOSFET 文件：208.1 Kbytes Page：8 Pages | VishayVishay Siliconix 威世威世科技公司 | | |
SIHP30N60E | iscN-Channel MOSFET Transistor 文件：329.08 Kbytes Page：2 Pages | ISC 无锡固电 | | |
E Series Power MOSFET FEATURES • Low figure-of-merit (FOM) Ron x Qg • Low input capacitance (Ciss) • Reduced switching and conduction losses • Ultra low gate charge (Qg) • Avalanche energy rated (UIS) • Material categorization: for definitions of compliance please see www.vishay.com/doc?99912 APPLICATIONS • | VishayVishay Siliconix 威世威世科技公司 | | ||
E Series Power MOSFET 文件：208.1 Kbytes Page：8 Pages | VishayVishay Siliconix 威世威世科技公司 | | ||
E Series Power MOSFET 文件：208.1 Kbytes Page：8 Pages | VishayVishay Siliconix 威世威世科技公司 | | ||
E Series Power MOSFET 文件：203.6 Kbytes Page：8 Pages | VishayVishay Siliconix 威世威世科技公司 | | ||
E Series Power MOSFET 文件：208.1 Kbytes Page：8 Pages | VishayVishay Siliconix 威世威世科技公司 | | ||
BIDW30N60T Insulated Gate Bipolar Transistor (IGBT) General Information The Bourns® Model BIDW30N60T IGBT device combines technology from a MOS gate and a bipolar transistor for an optimum component for high voltage and high current applications. This device uses Trench-Gate Field-Stop technology providing greater control of dynamic characteris | Bourns 伯恩斯 | | ||
Low Loss DuoPack: IGBT in TRENCHSTOPTM and Fieldstop technology with soft, fast recovery antiparallel Emitter Controlled diode 文件：1.9827 Mbytes Page：16 Pages | Infineon 英飞凌 | | ||
ACTIVE / SYNCHRONOUS RECTIFIER 文件：672.35 Kbytes Page：15 Pages | DIODES 美台半导体 | | ||
N-Channel Enhancement Mode MOSFET 文件：281.61 Kbytes Page：4 Pages | DACO 罡境电子 | | ||
N-Channel Enhancement Mode MOSFET 文件：264.01 Kbytes Page：4 Pages | DACO 罡境电子 | |
SIHP30N60E产品属性
- 类型
描述
- 型号
SIHP30N60E
- 制造商
VISHAY
- 制造商全称
Vishay Siliconix
- 功能描述
E Series Power MOSFET
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
VISHAY/威世 |
24+ |
TO-220 |
12000 |
原装正品真实现货杜绝虚假 |
|||
SILICONIXVISHAY |
21+ |
NA |
1000 |
只做原装,一定有货,不止网上数量,量多可订货! |
|||
Vishay |
24+ |
NA |
3000 |
进口原装正品优势供应 |
|||
VISHAY |
21+ |
2000 |
TO-220-3 |
||||
VISHAY |
14+ |
TO220 |
40 |
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 |
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VISHAY |
21+ |
TO-220-3 |
2000 |
15年光格 只做原装正品 |
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VISHAY/威世 |
2022+ |
TO-220 |
50000 |
原厂代理 终端免费提供样品 |
|||
VISHAY/威世 |
2021+ |
TO-220 |
9000 |
原装现货,随时欢迎询价 |
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VISHAY(威世) |
24+ |
TO-220 |
7828 |
支持大陆交货,美金交易。原装现货库存。 |
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VISHAY |
23+ |
TO-220 |
50000 |
全新原装正品现货,支持订货 |
SIHP30N60E规格书下载地址
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2020-4-4
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