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SIHH27N60EF | E Series Power MOSFET With Fast Body Diode 文件：189.99 Kbytes Page：10 Pages | VishayVishay Siliconix 威世威世科技公司 |   | |
SiHH27N60EF | E Series Power MOSFET With Fast Body Diode | VishayVishay Siliconix 威世威世科技公司 | | |
E Series Power MOSFET With Fast Body Diode 文件：189.99 Kbytes Page：10 Pages | VishayVishay Siliconix 威世威世科技公司 | | ||
Power MOSFET(Vdss=600V, Rds(on)typ.=180mohm, Id=27A) HEXFET® Power MOSFET Benefits Low Gate Charge Qg results in Simple Drive Requirement Improved Gate, Avalanche and Dynamic dv/dt Ruggedness Fully Characterized Capacitance and Avalanche Voltage and Current Enhanced Body Diode dv/dt Capability Applications Hard Switch | IRF | | ||
iscN-Channel MOSFET Transistor • DESCRITION • Switching Voltage Regulators • FEATURES • Low drain-source on-resistance: RDS(ON) =0.22Ω (MAX) • Enhancement mode: Vth = 3.0 to 5.0V (VDS = 10 V, ID=0.25mA) • 100 avalanche tested • Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation | ISC 无锡固电 | | ||
Power MOSFET 文件：156.63 Kbytes Page：8 Pages | VishayVishay Siliconix 威世威世科技公司 | | ||
Power MOSFET 文件：191.88 Kbytes Page：9 Pages | VishayVishay Siliconix 威世威世科技公司 | | ||
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| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
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Silicon Labs/芯科原装特价SIHH27N60EF-T1-GE3即刻询购立享优惠#长期有货 |
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VISHAY/威世 |
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