SIHG17N60D-GE3价格

参考价格:¥12.7339

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型号 功能描述 生产厂家 企业 LOGO 操作

D Series Power MOSFET

FEATURES • Optimal Design    - Low Area Specific On-Resistance    - Low Input Capacitance (Ciss)    - Reduced Capacitive Switching Losses    - High Body Diode Ruggedness    - Avalanche Energy Rated (UIS) • Optimal Efficiency and Operation    - Low Cost    - Simple Gate Drive Circuitry  

VishayVishay Siliconix

威世威世科技公司

SIHG17N60D-GE3产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    SIHG17N60D-GE3

  • 功能描述

    MOSFET 600V 17A 340mOhm @ 10V

  • RoHS

  • 制造商

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压

    650 V

  • 闸/源击穿电压

    25 V

  • 漏极连续电流

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通)

    0.014 Ohms

  • 配置

    Single

  • 安装风格

    Through Hole

  • 封装/箱体

    Max247

  • 封装

    Tube

更新时间:2025-11-25 17:41:02
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
Vishay(威世)
23+
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VISHAY/威世
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