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SIHFR1N60ATL-E3

Power MOSFET

FEATURES • Low Gate Charge Qg Results in Simple Drive Requirement • Improved Gate, Avalanche and Dynamic dV/dt Ruggedness • Fully Characterized Capacitance and Avalanche Voltage and Current • Material categorization: For definitions of compliance please see www.vishay.com/doc?99912 APPLICATIO

VishayVishay Siliconix

威世威世科技公司

SIHFR1N60ATL-E3

N-Channel 650 V (D-S) MOSFET

文件:1.08672 Mbytes Page:9 Pages

VBSEMI

微碧半导体

SIHFR1N60ATL-E3产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    SIHFR1N60ATL-E3

  • 制造商

    VISHAY

  • 制造商全称

    Vishay Siliconix

  • 功能描述

    Power MOSFET

更新时间:2025-11-21 23:00:00
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