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SIHB21N60EF | EF Series Power MOSFET with Fast Body Diode 文件：216.68 Kbytes Page：9 Pages | VishayVishay Siliconix 威世威世科技公司 |   | |
SIHB21N60EF | iscN-Channel MOSFET Transistor 文件：322.66 Kbytes Page：2 Pages | ISC 无锡固电 | | |
SIHB21N60EF | EF Series Power MOSFET with Fast Body Diode 文件：215.76 Kbytes Page：9 Pages | VishayVishay Siliconix 威世威世科技公司 | | |
SiHB21N60EF | EF Series Power MOSFET with Fast Body Diode | VishayVishay Siliconix 威世威世科技公司 | | |
EF Series Power MOSFET with Fast Body Diode 文件：215.76 Kbytes Page：9 Pages | VishayVishay Siliconix 威世威世科技公司 | | ||
EF Series Power MOSFET with Fast Body Diode 文件：215.76 Kbytes Page：9 Pages | VishayVishay Siliconix 威世威世科技公司 | | ||
SMPS MOSFET FEATURES • Superfast body diode eliminates the need for external diodes in ZVS applications. • Lower Gate charge results in simple drive requirements. • Enhanced dV/dt capabilities offer improved ruggedness. • Higher Gate voltage threshold offers improved noise immunity. APPLICATIONS • Zero | IRF | | ||
Power MOSFET Power MOSFET FEATURES • Superfast Body Diode Eliminates the Need for External Diodes in ZVS Applications • Lower Gate Charge Results in Simple Drive Requirements • Enhanced dV/dt Capabilities Offer Improved Ruggedness • Higher Gate Voltage Threshold Offers Improved Noise Immunity • Lead (Pb) | VishayVishay Siliconix 威世威世科技公司 | | ||
Fast Switching 文件：49.85 Kbytes Page：2 Pages | ISC 无锡固电 | | ||
N-Channel Super Junction Power MOSFET II 文件：1.06048 Mbytes Page：8 Pages | HMSEMI 华之美半导体 | | ||
N-Channel Super Junction Power MOSFET II 文件：1.06048 Mbytes Page：8 Pages | HMSEMI 华之美半导体 | |
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