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| 型号 | 功能描述 | 生产厂家 企业 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
SIGC158T120R3L | HighSpeed 2-Technology • Designed for: - TV – Horizontal Line Deflection • 2nd generation HighSpeed-Technology for 1200V applications offers: - loss reduction in resonant circuits - temperature stable behavior - parallel switching capability - tight parameter distribution - Eoff optimized for IC =3A - simple Ga | Infineon 英飞凌 |   | |
SIGC158T120R3L | IGBT3 Chip 文件：72.1 Kbytes Page：4 Pages | Infineon 英飞凌 | | |
SIGC158T120R3L | IGBT3 Chip | Infineon 英飞凌 | | |
IGBT3 Chip 文件：81.22 Kbytes Page：4 Pages | Infineon 英飞凌 | | ||
positive temperature coefficient 文件：196.6 Kbytes Page：5 Pages | Infineon 英飞凌 | | ||
TRENCHSTOPTM IGBT3 Chip 文件：341.44 Kbytes Page：9 Pages | Infineon 英飞凌 | | ||
TRENCHSTOPTM IGBT3 Chip 文件：341.44 Kbytes Page：9 Pages | Infineon 英飞凌 | | ||
封装/外壳：模具 包装：管件 描述：IGBT 1200V 150A DIE 分立半导体产品 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单 | Infineon 英飞凌 | | ||
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positive temperature coefficient 文件：195.44 Kbytes Page：5 Pages | Infineon 英飞凌 | |
SIGC158T120R3L产品属性
- 类型
描述
- 型号
SIGC158T120R3L
- 功能描述
IGBT 晶体管 IGBT
- RoHS
否
- 制造商
Fairchild Semiconductor
- 配置
集电极—发射极最大电压
- VCEO
650 V
- 集电极—射极饱和电压
2.3 V
- 栅极/发射极最大电压
20 V 在25
- C的连续集电极电流
150 A
- 栅极—射极漏泄电流
400 nA
- 功率耗散
187 W
- 封装/箱体
TO-247
- 封装
Tube
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
INFINEON |
23+ |
1 |
7000 |
||||
Infineon Technologies |
23+ |
模具 |
6996 |
只做原装正品现货 |
|||
Infineon Technologies |
24+ |
原装 |
5000 |
原装正品,提供BOM配单服务 |
|||
INFINEON/英飞凌 |
22+ |
N/A |
15000 |
英飞凌MOS管、IGBT大量有货 |
|||
INFINEON |
24+ |
con |
35960 |
查现货到京北通宇商城 |
|||
INFINEON |
23+ |
1 |
8000 |
只做原装现货 |
|||
INFINEON/英飞凌 |
22+ |
N/A |
9000 |
专业配单,原装正品假一罚十,代理渠道价格优 |
|||
Infineon Technologies |
25+ |
模具 |
9350 |
独立分销商 公司只做原装 诚心经营 免费试样正品保证 |
SIGC158T120R3L规格书下载地址
SIGC158T120R3L参数引脚图相关
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2019-9-6
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