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| 型号 | 功能描述 | 生产厂家 企业 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
SIGC12T60NC | IGBT Chip in NPT-technology 文件：69.59 Kbytes Page：4 Pages | Infineon 英飞凌 |   | |
SIGC12T60NC | IGBT裸片(400V-1200V) | Infineon 英飞凌 | | |
isc N-Channel MOSFET Transistor DESCRIPTION ·Drain Current : ID= 10A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage : VDSS= 950V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance : RDS(on) = 0.85Ω(Max) @ VGS= 10V ·100 avalanche tested ·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS ·motor drive, | ISC 无锡固电 | | ||
600V,12A N-Channel MOSFET 文件：494.9 Kbytes Page：7 Pages | AOSMD 万国半导体 | | ||
RoHS and Halogen Free Compliant 文件：494.91 Kbytes Page：7 Pages | AOSMD 万国半导体 | | ||
RoHS and Halogen Free Compliant 文件：436.07 Kbytes Page：6 Pages | AOSMD 万国半导体 | | ||
RoHS and Halogen Free Compliant 文件：436.07 Kbytes Page：6 Pages | AOSMD 万国半导体 | |
SIGC12T60NC产品属性
- 类型
描述
- 型号
SIGC12T60NC
- 制造商
INFINEON
- 制造商全称
Infineon Technologies AG
- 功能描述
IGBT Chip in NPT-technology
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
INFINEON/英飞凌 |
22+ |
N/A |
15000 |
英飞凌MOS管、IGBT大量有货 |
|||
INFINEON |
23+ |
1 |
8000 |
只做原装现货 |
|||
INFINEON |
23+ |
1 |
7000 |
||||
INFINEON/英飞凌 |
22+ |
N/A |
9000 |
专业配单,原装正品假一罚十,代理渠道价格优 |
|||
INFINEON |
24+ |
con |
35960 |
查现货到京北通宇商城 |
SIGC12T60NC规格书下载地址
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