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AOB12T60P

isc N-Channel MOSFET Transistor

DESCRIPTION ·Drain Current : ID= 10A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage : VDSS= 950V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance : RDS(on) = 0.85Ω(Max) @ VGS= 10V ·100 avalanche tested ·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS ·motor drive,

ISC

无锡固电

AOB12T60P

MOSFET:N-Channel

AOS

美国万代

AOB12T60P

600V,12A N-Channel MOSFET

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更新时间:2025-9-29 18:28:00
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