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SIGC10T65E | 650Vtrench&fieldstoptechnology 文件：330.91 Kbytes Page：9 Pages | InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司 |  |   |
HighSpeedIGBT3Chip Features: •650VTrench&FieldStoptechnology •highspeedswitchingseriesthirdgeneration •lowVCE(sat) •lowEMI •lowturn-offlosses •positivetemperaturecoefficient •qualifiedaccordingtoJEDECfortargetapplications Recommendedfor: •discretecomponentsandmodules Appli | InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司 | | | |
SchottkyBarrierDiode 文件：1.05893 Mbytes Page：5 Pages | ROHMRohm Semiconductor 罗姆罗姆半导体集团 |  | | |
SchottkyBarrierDiode 文件：741.72 Kbytes Page：9 Pages | ROHMRohm Semiconductor 罗姆罗姆半导体集团 | | |
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
INF |
RoHSCompliant |
474 |
neworiginal |
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INFINEON/英飞凌 |
22+ |
N/A |
15000 |
英飞凌MOS管、IGBT大量有货 |
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INFINEON/英飞凌 |
2021+ |
45000 |
十年专营原装现货,假一赔十 |
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INF |
2018+ |
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代理原装现货/特价热卖! |
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INFINEON-英飞凌 |
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IGBT3 |
78800 |
一一有问必回一特殊渠道一有长期订货一备货HK仓库 |
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INF |
23+ |
540 |
原装现货,欢迎咨询 |
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INFINEON |
23+ |
8000 |
只做原装现货 |
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INF |
NA |
20000 |
原装正品 |
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INFINEON/英飞凌 |
2021+ |
SMD |
100500 |
一级代理专营品牌!原装正品,优势现货,长期排单到货 |
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INFINEON |
23+ |
-- |
14253 |
原包装原标现货,假一罚十, |
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2019-9-6
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