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IGC10T65QE

High Speed IGBT3 Chip

Features: • 650V Trench & Field Stop technology • high speed switching series third generation • low VCE(sat) • low EMI • low turn-off losses • positive temperature coefficient • qualified according to JEDEC for target applications Recommended for: • discrete components and modules Appli

Infineon

英飞凌

IGC10T65QE

IGBT裸片(400V-1200V)

Infineon

英飞凌

Schottky Barrier Diode

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ROHM

罗姆

Schottky Barrier Diode

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ROHM

罗姆

650V trench & field stop technology

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Infineon

英飞凌

更新时间:2025-10-24 10:39:00
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