位置：首页 > IC中文资料第9526页 > SIGC10T60
| 型号 | 功能描述 | 生产厂家 企业 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
SIGC10T60 | IGBT3 Chip 文件：75.99 Kbytes Page：4 Pages | Infineon 英飞凌 |   | |
SIGC10T60 | IGBT3 Chip | Infineon 英飞凌 | | |
Integrated 3 Phase Gate Driver Chip product 1.1 Features Thin-film-SOI-technology Insensitivity of the bridge output to negative transient voltages up to -50V given by SOI-technology Maximum blocking voltage +600V Power supply of the high side drivers via boot strap Integrated bootstrap functionality Separate control circ | Infineon 英飞凌 | | ||
TRENCHSTOPTM IGBT3 Chip Features: 600V trench & field stop technology Low VCEsat Low turn-off losses Short tail current Positive temperature coefficient Easy paralleling | Infineon 英飞凌 | | ||
600V trench & field stop technology 文件：283.64 Kbytes Page：9 Pages | Infineon 英飞凌 | | ||
IGBT 裸片 | Infineon 英飞凌 | | ||
IGBT3 Chip 600V Trench & Field Stop technology positive temperature coefficient 文件：76.47 Kbytes Page：4 Pages | Infineon 英飞凌 | | ||
IGBT裸片(400V-1200V) | Infineon 英飞凌 | | ||
600V,10A N-Channel MOSFET 文件：498.7 Kbytes Page：7 Pages | AOSMD 万国半导体 | | ||
RoHS and Halogen Free Compliant 文件：498.69 Kbytes Page：7 Pages | AOSMD 万国半导体 | | ||
RoHS and Halogen Free Compliant 文件：498.68 Kbytes Page：7 Pages | AOSMD 万国半导体 | | ||
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600V,10A N-Channel MOSFET 文件：498.7 Kbytes Page：7 Pages | AOSMD 万国半导体 | |
SIGC10T60产品属性
- 类型
描述
- 型号
SIGC10T60
- 制造商
INFINEON
- 制造商全称
Infineon Technologies AG
- 功能描述
IGBT3 Chip
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
Infineon |
23+ |
集成电路(IC) |
5864 |
原装原标原盒 给价就出 全网最低 |
|||
INFINEON |
23+ |
1 |
8000 |
只做原装现货 |
|||
INFINEON |
23+ |
1 |
7000 |
||||
INFINEON/英飞凌 |
2447 |
SMD |
100500 |
一级代理专营品牌!原装正品,优势现货,长期排单到货 |
|||
INFINEON/英飞凌 |
2450+ |
NA |
9850 |
只做原厂原装正品现货或订货假一赔十! |
|||
INFINEON/英飞凌 |
22+ |
N/A |
15000 |
英飞凌MOS管、IGBT大量有货 |
|||
INFINEON |
24+ |
con |
35960 |
查现货到京北通宇商城 |
|||
INF |
2018+ |
26976 |
代理原装现货/特价热卖! |
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INFINEON/英飞凌 |
22+ |
N/A |
9000 |
专业配单,原装正品假一罚十,代理渠道价格优 |
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