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| 型号 | 功能描述 | 生产厂家 企业 | LOGO | 操作 |
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SIGC10T60SE | TRENCHSTOPTM IGBT3 Chip Features: 600V trench & field stop technology Low VCEsat Low turn-off losses Short tail current Positive temperature coefficient Easy paralleling | Infineon 英飞凌 |   | |
SIGC10T60SE | IGBT裸片(400V-1200V) | Infineon 英飞凌 | | |
600V,10A N-Channel MOSFET 文件：498.7 Kbytes Page：7 Pages | AOSMD 万国半导体 | | ||
RoHS and Halogen Free Compliant 文件：498.68 Kbytes Page：7 Pages | AOSMD 万国半导体 | | ||
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600V,10A N-Channel MOSFET 文件：498.7 Kbytes Page：7 Pages | AOSMD 万国半导体 | |
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
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深圳市大唐盛世半导体有限公司 手 机：17727572380 。 电 话：0755-83226739 Q Q:626839837。 微信号：15096137729
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2019-12-7SiGeHBT放大器QPA4486A原装现货
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2019-12-3SIDACtor?大功率100A、6V保护晶闸管-PxxxxS4xLRP系列
Littelfuse 的 SIDACtor 用于保护设备免受过电压瞬变的损害
2019-9-6
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