型号 功能描述 生产厂家 企业 LOGO 操作
SID20N06

N-Channel Enhancement MOSFET

SECOS

喜可士

N-Channel Enhancement MOSFET

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SECOS

喜可士

N-Channel 60 V (D-S) MOSFET

文件:960.79 Kbytes Page:7 Pages

VBSEMI

微碧半导体

N-Channel MOSFET uses advanced trench technology

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DOINGTER

杜因特

MosFET

SECOS

喜可士

N-Channel Enhancement MOSFET

文件:645.77 Kbytes Page:4 Pages

SECOS

喜可士

60V N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET

Features VDS = 60V,ID =20A RDS(ON),23mΩ(Typ) @ VGS =10V RDS(ON),29mΩ(Typ) @ VGS =4.5V Advanced Trench Technology Excellent RDS(ON) and Low Gate Charge Lead free product is acquired

UMW

友台半导体

60V N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET

General Description The 20N06 uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. Features VDS = 60V,ID =20A RDS(ON),23mΩ(Typ) @ VGS =10V RDS(ON),29mΩ(Typ) @ VGS =4.5V Advanced Trench Technology

EVVOSEMI

翊欧

N-Channel 60-V (D-S) MOSFET

文件:897.38 Kbytes Page:6 Pages

VBSEMI

微碧半导体

20A mps,60 Volts N-CHANNEL MOSFET

文件:193.72 Kbytes Page:2 Pages

CHONGQING

平伟实业

Fast Switching

文件:67.37 Kbytes Page:2 Pages

ISC

无锡固电

SID20N06产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    SID20N06

  • 制造商

    SECOS

  • 制造商全称

    SeCoS Halbleitertechnologie GmbH

  • 功能描述

    N-Channel Enhancement MOSFET

更新时间:2025-12-26 17:02:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
PARTRON
25+
ROHS
880000
明嘉莱只做原装正品现货
SAMSUNG
22+
DIP24
3000
原装正品,支持实单
PARTRON
ROHS
8560
一级代理 原装正品假一罚十价格优势长期供货
SAMSUNG
NEW
DIP-28
9526
代理全系列销售, 全新原装正品,价格优势,长期供应,量大可订
SAMSUNG
24+
DIP32
90000
一级代理商进口原装现货、假一罚十价格合理
PARTRON
23+
ROHS
11200
原厂授权一级代理、全球订货优势渠道、可提供一站式BO
SAMSUNG/三星
2407+
DIP
7750
原装现货!实单直说!特价!
24+
DIP
2000
本站现库存
SAMSUNG
24+
DIP-28
36500
原装现货/放心购买
SANSUNG
23+
DIP28
8560
受权代理!全新原装现货特价热卖!

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