| 型号 | 功能描述 | 生产厂家 企业 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
SID15N10 | N-Channel 100 V (D-S) MOSFET 文件:954.35 Kbytes Page:7 Pages | VBSEMI 微碧半导体 | ||
SID15N10 | N-Ch Enhancement Mode Power MOSFET 文件:758.43 Kbytes Page:4 Pages | SECOS 喜可士 | ||
SID15N10 | N-Channel MOSFET uses advanced trench technology 文件:1.17256 Mbytes Page:4 Pages | DOINGTER 杜因特 | ||
SID15N10 | MosFET | SECOS 喜可士 | ||
N-Ch Enhancement Mode Power MOSFET 文件:758.43 Kbytes Page:4 Pages | SECOS 喜可士 | |||
N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description The 15N10 uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON), low gate charge and operation with gate voltages as low as 4.5V. This device is suitable for use as a Battery protection or in other switching application. Application Battery switch DC/DC converter | TUOFENG 拓锋半导体 | |||
14.7A, 100V (D-S) N-CHANNEL POWER MOSFET DESCRIPTION The UTC 15N10is an N-Channel enhancement MOSFET, it uses UTC’s advanced technology to provide customers with a minimum on-state resistance, high switching speed and low gate charge. The UTC 15N10is suitable for high efficiency switching DC/DC converter, LCD display inverter and l | UTC 友顺 | |||
P-Channel 30 V (D-S) MOSFET 文件:1.02293 Mbytes Page:8 Pages | VBSEMI 微碧半导体 | |||
N-Channel 100 V (D-S) MOSFET 文件:1.0134 Mbytes Page:7 Pages | VBSEMI 微碧半导体 | |||
100V N-Channel Power MOSFET 文件:1.11304 Mbytes Page:8 Pages | DYELEC 迪一电子 |
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
Secos |
20+ |
TO-251 |
38900 |
原装优势主营型号-可开原型号增税票 |
|||
PARTRON |
25+ |
ROHS |
880000 |
明嘉莱只做原装正品现货 |
|||
SAMSUNG |
22+ |
DIP24 |
3000 |
原装正品,支持实单 |
|||
PARTRON |
ROHS |
8560 |
一级代理 原装正品假一罚十价格优势长期供货 |
||||
VBSEMI/微碧半导体 |
24+ |
TO251 |
7800 |
全新原厂原装正品现货,低价出售,实单可谈 |
|||
SAMSUNG |
NEW |
DIP-28 |
9526 |
代理全系列销售, 全新原装正品,价格优势,长期供应,量大可订 |
|||
ST |
26+ |
SOT-252 |
60000 |
只有原装 可配单 |
|||
SCILICON |
23+ |
MODULE |
11200 |
原厂授权一级代理、全球订货优势渠道、可提供一站式BO |
|||
SAMSUNG |
24+ |
DIP32 |
90000 |
一级代理商进口原装现货、假一罚十价格合理 |
|||
ST |
25+ |
SOT-252 |
16900 |
原装,请咨询 |
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Littelfuse 的 SIDACtor 用于保护设备免受过电压瞬变的损害
2019-9-6
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