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| 型号 | 功能描述 | 生产厂家 企业 | LOGO | 操作 |
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SIC530_V01 | 30 A VRPower짰 Integrated Power Stage 文件：343.2 Kbytes Page：16 Pages | VishayVishay Siliconix 威世科技 |   | |
Power MOSFET FEATURES • Dynamic dV/dt rating • Repetitive avalanche rated • 175 °C operating temperature • Fast switching • Ease of paralleling • Simple drive requirements • Material categorization: for definitions of compliance please see www.vishay.com/doc?99912 Note * This datasheet provides infor | VishayVishay Siliconix 威世科技 | | ||
Power MOSFET FEATURES • Dynamic dV/dt rating • Repetitive avalanche rated • Logic-level gate drive • RDS(on) specified at VGS = 4 V and 5 V • 175 °C operating temperature • Fast switching • Ease of paralleling • Material categorization: for definitions of compliance please see www.vishay.com/doc?99912 | VishayVishay Siliconix 威世科技 | | ||
Ultra Low Profile SMT Top Actuated Features/Benefits • 4.5 x 4.5 mm footprint • 0.55 mm thickness • High number of cycles • Symbol line identification | CK-COMPONENTS 力特 | | ||
Power MOSFET 文件：1.147 Mbytes Page：9 Pages | VishayVishay Siliconix 威世科技 | |
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
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2019-9-6
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