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SIB912DK-T1-GE3价格
参考价格：￥0.9417
型号：SIB912DK-T1-GE3 品牌：Vishay 备注：这里有SIB912DK-T1-GE3多少钱，2025年最近7天走势，今日出价，今日竞价，SIB912DK-T1-GE3批发/采购报价，SIB912DK-T1-GE3行情走势销售排行榜，SIB912DK-T1-GE3报价。| 型号 | 功能描述 | 生产厂家 企业 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
SIB912DK-T1-GE3 | Dual N-Channel 20-V MOSFET 文件：232.67 Kbytes Page：9 Pages | VishayVishay Siliconix 威世威世科技公司 |   | |
SIB912DK-T1-GE3 | Dual N-Channel 20 V MOSFET 文件：289.78 Kbytes Page：9 Pages | VishayVishay Siliconix 威世威世科技公司 | | |
Dual N-Channel 20 V (D-S) MOSFETs FEATURES • High Quality Manufacturing Process Using SMM Process Flow • Halogen-free According to IEC 61249-2-21 Definition • TrenchFET® Power MOSFET • New Thermally Enhanced PowerPAK® SC-75 Package - Small Footprint Area • 100 Rg Tested • Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC • Find o | VishayVishay Siliconix 威世威世科技公司 | | ||
Dual N-Channel 20 V (D-S) MOSFET 文件：114.49 Kbytes Page：7 Pages | VishayVishay Siliconix 威世威世科技公司 | |
SIB912DK-T1-GE3产品属性
- 类型
描述
- 型号
SIB912DK-T1-GE3
- 功能描述
MOSFET 20V 1.5A 3.1W 216mohm @ 4.5V
- RoHS
否
- 制造商
STMicroelectronics
- 晶体管极性
N-Channel
- 汲极/源极击穿电压
650 V
- 闸/源击穿电压
25 V
- 漏极连续电流
130 A 电阻汲极/源极
- RDS（导通）
0.014 Ohms
- 配置
Single
- 安装风格
Through Hole
- 封装/箱体
Max247
- 封装
Tube
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
Vishay/Siliconix |
24+ |
PowerPAKSC-75-6 |
7500 |
||||
VISHAY/威世 |
2450+ |
QFN |
8850 |
只做原装正品假一赔十为客户做到零风险!! |
|||
VISHAY |
原厂封装 |
9800 |
原装进口公司现货假一赔百 |
||||
VISHAY |
2024+ |
N/A |
70000 |
柒号只做原装 现货价秒杀全网 |
|||
Vishay(威世) |
23+ |
NA |
20094 |
正纳10年以上分销经验原装进口正品做服务做口碑有支持 |
|||
SIAI |
24+ |
TO-252 |
9000000 |
一级代理/放心采购 |
|||
Samsung |
20000 |
||||||
PRISEMI |
23+ |
DFN2020-6 |
11200 |
原厂授权一级代理、全球订货优势渠道、可提供一站式BO |
|||
Vishay |
NA |
16355 |
一级代理 原装正品假一罚十价格优势长期供货 |
||||
VISHAY/威世 |
2025+ |
PowerPAKSC-75 |
5000 |
原装进口,免费送样品! |
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