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SIB800EDK-T1-GE3

N-Channel 20-V (D-S) MOSFET with Trench Schottky Diode

文件:244.83 Kbytes Page:11 Pages

VishayVishay Siliconix

威世威世科技公司

SIB800EDK-T1-GE3产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    SIB800EDK-T1-GE3

  • 功能描述

    MOSFET 20V 1.5A 3.1W 225mohm @ 4.5V

  • RoHS

  • 制造商

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压

    650 V

  • 闸/源击穿电压

    25 V

  • 漏极连续电流

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通)

    0.014 Ohms

  • 配置

    Single

  • 安装风格

    Through Hole

  • 封装/箱体

    Max247

  • 封装

    Tube

更新时间:2025-11-20 23:00:00
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