SIA907EDJT-T1-GE3价格

参考价格:¥1.1206

型号:SIA907EDJT-T1-GE3 品牌:Vishay 备注:这里有SIA907EDJT-T1-GE3多少钱,2025年最近7天走势,今日出价,今日竞价,SIA907EDJT-T1-GE3批发/采购报价,SIA907EDJT-T1-GE3行情走势销售排行榜,SIA907EDJT-T1-GE3报价。
型号 功能描述 生产厂家 企业 LOGO 操作
SIA907EDJT-T1-GE3

Dual P-Channel 20 V (D-S) MOSFET

FEATURES • TrenchFET® power MOSFET • Thermally enhanced Thin PowerPAK® SC-70 package - Small footprint area - Low on-resistance • Typical ESD protection: 1500 V HBM • High speed switching • Material categorization: For definitions of compliance please see www.vishay.com/doc?99912 APPLI

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威世威世科技公司

SIA907EDJT-T1-GE3

Dual P-Channel 20 V (D-S) MOSFET

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SIA907EDJT-T1-GE3产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    SIA907EDJT-T1-GE3

  • 功能描述

    MOSFET -20V 57mOhm@4.5V 4.5A P-Ch G-III

  • RoHS

  • 制造商

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压

    650 V

  • 闸/源击穿电压

    25 V

  • 漏极连续电流

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通)

    0.014 Ohms

  • 配置

    Single

  • 安装风格

    Through Hole

  • 封装/箱体

    Max247

  • 封装

    Tube

更新时间:2025-11-24 20:00:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
VISHAY/威世
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