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型号：SIA449DJ-T1-GE3 品牌：Vishay 备注：这里有SIA449DJ多少钱，2025年最近7天走势，今日出价，今日竞价，SIA449DJ批发/采购报价，SIA449DJ行情走势销售排行榜，SIA449DJ报价。

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SIA449DJ	P-Channel 30 V (D-S) MOSFET 文件：210.12 Kbytes Page：9 Pages	VishayVishay Siliconix 威世威世科技公司	Vishay
SiA449DJ	P-Channel 30 V (D-S) MOSFET	VishayVishay Siliconix 威世威世科技公司	Vishay
SIA449DJ_V01	P-Channel 30 V (D-S) MOSFET 文件：212.89 Kbytes Page：9 Pages	VishayVishay Siliconix 威世威世科技公司	Vishay
ARF449A	N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE RF POWER MOSFETs The ARF449A and ARF449B comprise a symmetric pair of common source RF power transistors designed for push-pull scientific, commercial, medical and industrial RF power amplifier applications up to 120 MHz. • Specified 150 Volt, 81.36 MHz Characteristics: • Output Power = 90 Watts. • Gain	ADPOW	ADPOW
ARF449B	N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE RF POWER MOSFETs The ARF449A and ARF449B comprise a symmetric pair of common source RF power transistors designed for push-pull scientific, commercial, medical and industrial RF power amplifier applications up to 120 MHz. • Specified 150 Volt, 81.36 MHz Characteristics: • Output Power = 90 Watts. • Gain	ADPOW	ADPOW
449	Surface Mount Fuses 文件：197.95 Kbytes Page：4 Pages	Littelfuse 力特	Littelfuse
BC449	High Voltage Transistors 文件：77.45 Kbytes Page：6 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
BC449A	High Voltage Transistors 文件：77.45 Kbytes Page：6 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI

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更新时间：2025-11-22 23:00:00

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SIC、GAN成为功率半导体产业的重点板块
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2023-3-27
SIA519EDJ-T1-GE3
优势渠道
2023-2-14
SIA413DJ-T1-GE3原装现货
瀚佳科技（深圳）有限公司专业进口电子元器件代理商
2020-7-30
SIA421DJ-T1-GE3原装现货
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2020-7-30
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SiC功率元器件 Si 功率元器件 IGBT SiC物理特性功率元器件功率半导体碳化硅
2020-3-24
SI9987-缓冲H桥
该Si9987是一个综合的，缓冲的H -桥与TTL兼容的输入和提供持续的能力1.0一个在VDD =5.0 V的（室温）的交换速率高达至500千赫。内部逻辑防止上下产出任半同时被开启桥。独特允许两个输出输入代码将被迫低（制动）或...强制为高阻抗的水平。该Si9987是提供8引脚SOIC封装，指定操作过电压范围为3.8 V至13.2 V，和在0至70摄氏度（丙后缀）和商业温度范围鈥到85℃（D后缀）。特点 1.0的H-桥 500 kHz的开关频率贯通有限公司 TTL兼容输入 3.8至13
2013-2-7