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SIA445EDJ价格
参考价格：￥1.2653
型号：SIA445EDJ-T1-GE3 品牌：VISHAY 备注：这里有SIA445EDJ多少钱，2025年最近7天走势，今日出价，今日竞价，SIA445EDJ批发/采购报价，SIA445EDJ行情走势销售排行榜，SIA445EDJ报价。| 型号 | 功能描述 | 生产厂家 企业 | LOGO | 操作 |
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SIA445EDJ | P-Channel 20 V (D-S) MOSFET FEATURES • TrenchFET® power MOSFET • Thermally enhanced PowerPAK SC-70 package - Small footprint area - Low on-resistance • 100 Rg tested • Built in ESD protection with Zener diode • Typical ESD performance: 2000 V • Material categorization: for definitions of compliance please see www | VishayVishay Siliconix 威世威世科技公司 |   | |
SiA445EDJ | P-Channel 20 V (D-S) MOSFET | VishayVishay Siliconix 威世威世科技公司 | | |
SIA445EDJ | P-Channel 20 V (D-S) MOSFET 文件：237.24 Kbytes Page：9 Pages | VishayVishay Siliconix 威世威世科技公司 | | |
P-Channel 20 V (D-S) MOSFET FEATURES • TrenchFET® power MOSFET • Thermally enhanced PowerPAK SC-70 package - Small footprint area - Low on-resistance • 100 Rg tested • Built in ESD protection with Zener diode • Typical ESD performance: 2000 V • Material categorization: for definitions of compliance please see www | VishayVishay Siliconix 威世威世科技公司 | | ||
P-Channel 20 V (D-S) MOSFET 文件：259.589 Kbytes Page：9 Pages | VishayVishay Siliconix 威世威世科技公司 | | ||
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Ultralow Noise, LDO XFET Voltage References with Current Sink and Source GENERAL DESCRIPTION The ADR44x series is a family of XFET® voltage references featuring ultralow noise, high accuracy, and low temperature drift performance. Using Analog Devices, Inc., patented temperature drift curvature correction and XFET (eXtra implanted junction FET) technology, voltage cha | AD 亚德诺 | | ||
Ultralow Noise, LDO XFET Voltage References with Current Sink and Source 文件：403.85 Kbytes Page：20 Pages | AD 亚德诺 | | ||
Quad-Channel, 12-Bit, Serial Input, 4 mA to 20 mA Output 文件：1.68434 Mbytes Page：44 Pages | AD 亚德诺 | | ||
Ultralow Noise, High Accuracy 文件：993.6 Kbytes Page：32 Pages | AD 亚德诺 | | ||
Quad-Channel, 12-Bit, Serial Input, 4 mA to 20 mA 文件：1.1692 Mbytes Page：48 Pages | AD 亚德诺 | |
SIA445EDJ产品属性
- 类型
描述
- 型号
SIA445EDJ
- 功能描述
MOSFET -20V 16.5mOhm@4.5V 12A P-Ch G-III
- RoHS
否
- 制造商
STMicroelectronics
- 晶体管极性
N-Channel
- 汲极/源极击穿电压
650 V
- 闸/源击穿电压
25 V
- 漏极连续电流
130 A 电阻汲极/源极
- RDS（导通）
0.014 Ohms
- 配置
Single
- 安装风格
Through Hole
- 封装/箱体
Max247
- 封装
Tube
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
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2023-3-27SIA519EDJ-T1-GE3
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瀚佳科技（深圳）有限公司 专业进口电子元器件代理商
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SiC功率元器件 Si 功率元器件 IGBT SiC物理特性 功率元器件 功率半导体 碳化硅
2020-3-24SI9987-缓冲H桥
该Si9987是一个综合的，缓冲的H -桥与TTL兼容的输入和提供持续的能力1.0一个在VDD =5.0 V的（室温）的交换速率高达至500千赫。内部逻辑防止上下产出任半同时被开启桥。独特允许两个输出输入代码将被迫低（制动）或...强制为高阻抗的水平。该Si9987是提供8引脚SOIC封装，指定操作过电压范围为3.8 V至13.2 V，和在0至70摄氏度（丙后缀）和商业温度范围鈥到85℃（D后缀）。 特点 1.0的H-桥 500 kHz的开关频率 贯通有限公司 TTL兼容输入 3.8至13
2013-2-7
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