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SIA429DJT-T1-GE3价格
参考价格：￥1.1558
型号：SIA429DJT-T1-GE3 品牌：Vishay 备注：这里有SIA429DJT-T1-GE3多少钱，2025年最近7天走势，今日出价，今日竞价，SIA429DJT-T1-GE3批发/采购报价，SIA429DJT-T1-GE3行情走势销售排行榜，SIA429DJT-T1-GE3报价。| 型号 | 功能描述 | 生产厂家 企业 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
SIA429DJT-T1-GE3 | P-Channel 20 V (D-S) MOSFET 文件：1.25257 Mbytes Page：9 Pages | VBSEMI 微碧半导体 |   | |
SIA429DJT-T1-GE3 | P-Channel 20 V (D-S) MOSFET 文件：320.32 Kbytes Page：10 Pages | VishayVishay Siliconix 威世威世科技公司 | |
SIA429DJT-T1-GE3产品属性
- 类型
描述
- 型号
SIA429DJT-T1-GE3
- 功能描述
MOSFET P-Channel 20 V(D-S)
- RoHS
否
- 制造商
STMicroelectronics
- 晶体管极性
N-Channel
- 汲极/源极击穿电压
650 V
- 闸/源击穿电压
25 V
- 漏极连续电流
130 A 电阻汲极/源极
- RDS（导通）
0.014 Ohms
- 配置
Single
- 安装风格
Through Hole
- 封装/箱体
Max247
- 封装
Tube
更新时间：2025-11-23 13:01:00
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
VISHAY |
23+ |
SC-70-6 |
50000 |
全新原装正品现货,支持订货 |
|||
VISHAY |
2024+ |
N/A |
70000 |
柒号只做原装 现货价秒杀全网 |
|||
VISHAY/威世 |
2511 |
DFN2020-6 |
360000 |
电子元器件采购降本30%!原厂直采,砍掉中间差价 |
|||
CCSEMI/芯能圆 |
23+ |
QFN2X2-6 |
50000 |
原装正品 支持实单 |
|||
VISHAY/威世 |
24+ |
QFN2X2-6 |
9600 |
原装现货,优势供应,支持实单! |
|||
VISHAY/威世 |
23+ |
PowerPAK SC-70-6 |
11200 |
原厂授权一级代理、全球订货优势渠道、可提供一站式BO |
|||
24+ |
N/A |
57000 |
一级代理-主营优势-实惠价格-不悔选择 |
||||
VISHAY(威世) |
2447 |
PowerPAK SC-70-6 |
105000 |
3000个/圆盘一级代理专营品牌!原装正品,优势现货, |
|||
VISHAY/威世 |
23+ |
QFN |
50000 |
全新原装正品现货,支持订货 |
|||
Vishay(威世) |
23+ |
NA |
20094 |
正纳10年以上分销经验原装进口正品做服务做口碑有支持 |
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SIA429DJT-T1-GE3规格书下载地址
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SIC、GAN成为功率半导体产业的重点板块
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2023-3-27SIA519EDJ-T1-GE3
优势渠道
2023-2-14SIA413DJ-T1-GE3原装现货
瀚佳科技（深圳）有限公司 专业进口电子元器件代理商
2020-7-30SIA421DJ-T1-GE3原装现货
瀚佳科技（深圳）有限公司 专业进口电子元器件代理商
2020-7-30SiC功率元器件Si功率元器件IGBT
SiC功率元器件 Si 功率元器件 IGBT SiC物理特性 功率元器件 功率半导体 碳化硅
2020-3-24SI9987-缓冲H桥
该Si9987是一个综合的，缓冲的H -桥与TTL兼容的输入和提供持续的能力1.0一个在VDD =5.0 V的（室温）的交换速率高达至500千赫。内部逻辑防止上下产出任半同时被开启桥。独特允许两个输出输入代码将被迫低（制动）或...强制为高阻抗的水平。该Si9987是提供8引脚SOIC封装，指定操作过电压范围为3.8 V至13.2 V，和在0至70摄氏度（丙后缀）和商业温度范围鈥到85℃（D后缀）。 特点 1.0的H-桥 500 kHz的开关频率 贯通有限公司 TTL兼容输入 3.8至13
2013-2-7
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