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| 型号 | 功能描述 | 生产厂家 企业 | LOGO | 操作 |
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Dual N-Channel Enhancement Mode MOSFET 文件：246.96 Kbytes Page：3 Pages | Fairchild 仙童半导体 |   | ||
Dual N-Channel Enhancement Mode MOSFET | ONSEMI 安森美半导体 | | ||
Dual N-Channel 60 V (D-S) 175 째C MOSFET 文件：1.08939 Mbytes Page：9 Pages | VBSEMI 微碧半导体 | | ||
Dual N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES ● 50V, 3A, RDS(ON) = 130mΩ @VGS = 10V. RDS(ON) = 200mΩ @VGS = 4.5V. ● Super high dense cell design for extremely low RDS(ON). ● High power and current handing capability. ● Surface Mount Package. | CET 华瑞 | | ||
Dual N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor General Description SO-8 N-Channel enhancement mode power field effect transistors are produced using Fairchilds proprietary, high cell density, DMOS technology. This very high density process is especially tailored to provide superior switching performance and minimize on-state resistance. These | Fairchild 仙童半导体 | | ||
Cat 5e UTP Patch Cable 文件：45.83 Kbytes Page：1 Pages | ASSMANNAssmann Electronics Inc. 阿斯曼电子 | | ||
16-channel Fm I2C-bus 57 mA constant current LED driver 文件：1.04906 Mbytes Page：48 Pages | Philips 飞利浦 | | ||
Smart, simple solutions for the 12 most common design concerns | ETC 知名厂家 | ETC | |
SI9955产品属性
- 类型
描述
- 型号
SI9955
- 功能描述
MOSFET SO8 DUAL NCH
- RoHS
否
- 制造商
STMicroelectronics
- 晶体管极性
N-Channel
- 汲极/源极击穿电压
650 V
- 闸/源击穿电压
25 V
- 漏极连续电流
130 A 电阻汲极/源极
- RDS（导通）
0.014 Ohms
- 配置
Single
- 安装风格
Through Hole
- 封装/箱体
Max247
- 封装
Tube
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
VISHAY/威世 |
23+ |
SOP8 |
50000 |
全新原装正品现货,支持订货 |
|||
SILICONIX/硅尼克斯 |
2223+ |
SOP-8 |
26800 |
只做原装正品假一赔十为客户做到零风险 |
|||
Fairchild/ON |
22+ |
8SO |
9000 |
原厂渠道,现货配单 |
|||
SILICONIX |
24+ |
SOIC8 |
9862 |
全新原装现货/假一罚百! |
|||
VISHAY/威世 |
新年份 |
SO-8 |
33288 |
原装正品现货,实单带TP来谈! |
|||
VISHAY |
20+ |
SOP-8 |
2960 |
诚信交易大量库存现货 |
|||
VISHAY |
08+ |
SOP8 |
3300 |
全新原装现货100真实自己公司 |
|||
FAIRCHILD |
1709+ |
SOP8 |
311 |
普通 |
|||
VBSEMI/微碧半导体 |
24+ |
SOP8 |
7800 |
全新原厂原装正品现货,低价出售,实单可谈 |
|||
SILICON |
23+ |
SOP8 |
8650 |
受权代理!全新原装现货特价热卖! |
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2020-9-18SIA413DJ-T1-GE3原装现货
瀚佳科技（深圳）有限公司 专业进口电子元器件代理商
2020-7-30SI9945BDY-T1-GE3原装现货
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2020-7-30Si9976-N沟道半桥式驱动器
描述 该Si9976DY是一个N沟道集成的驱动器MOSFET的半桥。施密特触发器输入提供逻辑信号兼容性和滞后的噪音增加免疫力。内部低电压稳压器允许器件对供电系统从20到40五，直接供应两个半桥式N通道闸直接驱动低阻抗输出。另外一个外部电容允许将这两个级别的电源内部电路...和逻辑信号半桥高端N-通道闸驱动器。内部电荷泵代替泄漏电流损失在高侧驱动器电路，以提供“静态“（DC）的操作在任何输出条件。保护功能包括一欠压锁定，交叉传导预防的逻辑，短路显示器。该Si9976DY是可用14引脚SOIC（表面贴装）封装，规定工作在工业（-40至85 ° C）温度范围。...
2013-2-7SI9987-缓冲H桥
该Si9987是一个综合的，缓冲的H -桥与TTL兼容的输入和提供持续的能力1.0一个在VDD =5.0 V的（室温）的交换速率高达至500千赫。内部逻辑防止上下产出任半同时被开启桥。独特允许两个输出输入代码将被迫低（制动）或...强制为高阻抗的水平。该Si9987是提供8引脚SOIC封装，指定操作过电压范围为3.8 V至13.2 V，和在0至70摄氏度（丙后缀）和商业温度范围鈥到85℃（D后缀）。 特点 1.0的H-桥 500 kHz的开关频率 贯通有限公司 TTL兼容输入 3.8至13
2013-2-7
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