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SI9955DY	DualN-ChannelEnhancementModeMOSFET 文件：246.96 Kbytes Page：3 Pages	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司
SI9955DY-T1-E3	DualN-Channel60V(D-S)175째CMOSFET 文件：1.08939 Mbytes Page：9 Pages	VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司
CEM9955	DualN-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES ●50V,3A,RDS(ON)=130mΩ@VGS=10V.RDS(ON)=200mΩ@VGS=4.5V. ●SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). ●Highpowerandcurrenthandingcapability. ●SurfaceMountPackage.	CETCET-MOS Technology Corp. 华瑞华瑞功率电子股份有限公司
NDS9955	DualN-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor GeneralDescription SO-8N-ChannelenhancementmodepowerfieldeffecttransistorsareproducedusingFairchildsproprietary,highcelldensity,DMOStechnology.Thisveryhighdensityprocessisespeciallytailoredtoprovidesuperiorswitchingperformanceandminimizeon-stateresistance.These	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司
AE9955	Cat5eUTPPatchCable 文件：45.83 Kbytes Page：1 Pages	ASSMANNASSMANN WSW COMPONENTS ASSMANN WSW组件有限公司
PCA9955	Smart,simplesolutionsforthe12mostcommondesignconcerns 文件：727.81 Kbytes Page：8 Pages	nxpNXP Semiconductors 恩智浦恩智浦半导体公司
PCA9955	16-channelFmI2C-bus57mAconstantcurrentLEDdriver 文件：1.04906 Mbytes Page：48 Pages	PhilipsROYAL PHILIPS 飞利浦荷兰皇家飞利浦

SI9955产品属性

类型
描述
型号
SI9955
功能描述
MOSFET SO8 DUAL NCH
RoHS
否
制造商
STMicroelectronics
晶体管极性
N-Channel
汲极/源极击穿电压
650 V
闸/源击穿电压
25 V
漏极连续电流
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）
0.014 Ohms
配置
Single
安装风格
Through Hole
封装/箱体
Max247
封装
Tube

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更新时间：2024-6-16 23:00:00

IC供应商	芯片型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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深圳市科恒伟业电子有限公司	SI9955DY	FAIRCHI	2016+	SOP8	6528	房间原装进口现货假一赔十	询价
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深圳市坤融电子科技有限公司	SI9955DY-T1-E3	VISHAY/威世	2024+实力库存	SOIC-8	18433	只做原厂渠道可追溯货源	询价
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深圳市一线半导体有限公司	SI9955DY		95+	SOP-8P	4		询价
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深圳市宏捷佳电子科技有限公司	SI9955DY	onsemi	24+	8-SOIC(0.154,3.90mm 宽)	9350	独立分销商,公司只做原装,诚心经营,免费试样正品保证	询价

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2020-9-18
SI9945BDY-T1-GE3原装现货
瀚佳科技（深圳）有限公司专业进口电子元器件代理商
2020-7-30
SIA413DJ-T1-GE3原装现货
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2020-7-30
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2020-7-30
SI9987-缓冲H桥
该Si9987是一个综合的，缓冲的H-桥与TTL兼容的输入和提供持续的能力1.0一个在VDD=5.0V的（室温）的交换速率高达至500千赫。内部逻辑防止上下产出任半同时被开启桥。独特允许两个输出输入代码将被迫低（制动）或...强制为高阻抗的水平。该Si9987是提供8引脚SOIC封装，指定操作过电压范围为3.8V至13.2V，和在0至70摄氏度（丙后缀）和商业温度范围鈥到85℃（D后缀）。特点1.0的H-桥500kHz的开关频率贯通有限公司TTL兼容输入3.8至13
2013-2-7
Si9976-N沟道半桥式驱动器
描述该Si9976DY是一个N沟道集成的驱动器MOSFET的半桥。施密特触发器输入提供逻辑信号兼容性和滞后的噪音增加免疫力。内部低电压稳压器允许器件对供电系统从20到40五，直接供应两个半桥式N通道闸直接驱动低阻抗输出。另外一个外部电容允许将这两个级别的电源内部电路...和逻辑信号半桥高端N-通道闸驱动器。内部电荷泵代替泄漏电流损失在高侧驱动器电路，以提供“静态“（DC）的操作在任何输出条件。保护功能包括一欠压锁定，交叉传导预防的逻辑，短路显示器。该Si9976DY是可用14引脚SOIC（表面贴装）封装，规定工作在工业（-40至85°C）温度范围。...
2013-2-7

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