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SI9955DY-T1-E3

Dual N-Channel 60 V (D-S) 175 째C MOSFET

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VBSEMI

微碧半导体

更新时间:2025-8-7 15:16:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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  • Si9976-N沟道半桥式驱动器

    描述 该Si9976DY是一个N沟道集成的驱动器MOSFET的半桥。施密特触发器输入提供逻辑信号兼容性和滞后的噪音增加免疫力。内部低电压稳压器允许器件对供电系统从20到40五,直接供应两个半桥式N通道闸直接驱动低阻抗输出。另外一个外部电容允许将这两个级别的电源内部电路...和逻辑信号半桥高端N-通道闸驱动器。内部电荷泵代替泄漏电流损失在高侧驱动器电路,以提供“静态“(DC)的操作在任何输出条件。保护功能包括一欠压锁定,交叉传导预防的逻辑,短路显示器。该Si9976DY是可用14引脚SOIC(表面贴装)封装,规定工作在工业(-40至85 ° C)温度范围。...

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    该Si9987是一个综合的,缓冲的H -桥与TTL兼容的输入和提供持续的能力1.0一个在VDD =5.0 V的(室温)的交换速率高达至500千赫。内部逻辑防止上下产出任半同时被开启桥。独特允许两个输出输入代码将被迫低(制动)或...强制为高阻抗的水平。该Si9987是提供8引脚SOIC封装,指定操作过电压范围为3.8 V至13.2 V,和在0至70摄氏度(丙后缀)和商业温度范围鈥到85℃(D后缀)。 特点 1.0的H-桥 500 kHz的开关频率 贯通有限公司 TTL兼容输入 3.8至13

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