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| 型号 | 功能描述 | 生产厂家 企业 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
NDS9955 | Dual N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor General Description SO-8 N-Channel enhancement mode power field effect transistors are produced using Fairchilds proprietary, high cell density, DMOS technology. This very high density process is especially tailored to provide superior switching performance and minimize on-state resistance. These | Fairchild 仙童半导体 |   | |
NDS9955 | Dual N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor | ONSEMI 安森美半导体 | | |
Dual N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES ● 50V, 3A, RDS(ON) = 130mΩ @VGS = 10V. RDS(ON) = 200mΩ @VGS = 4.5V. ● Super high dense cell design for extremely low RDS(ON). ● High power and current handing capability. ● Surface Mount Package. | CET 华瑞 | | ||
Cat 5e UTP Patch Cable 文件：45.83 Kbytes Page：1 Pages | ASSMANNAssmann Electronics Inc. 阿斯曼电子 | | ||
Smart, simple solutions for the 12 most common design concerns | ETC 知名厂家 | ETC | | |
16-channel Fm I2C-bus 57 mA constant current LED driver 文件：1.04906 Mbytes Page：48 Pages | Philips 飞利浦 | |
NDS9955产品属性
- 类型
描述
- 型号
NDS9955
- 功能描述
MOSFET DISC BY MFG 2/02
- RoHS
否
- 制造商
STMicroelectronics
- 晶体管极性
N-Channel
- 汲极/源极击穿电压
650 V
- 闸/源击穿电压
25 V
- 漏极连续电流
130 A 电阻汲极/源极
- RDS（导通）
0.014 Ohms
- 配置
Single
- 安装风格
Through Hole
- 封装/箱体
Max247
- 封装
Tube
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
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FAIRCHILD |
08+ |
SOP8 |
3300 |
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2019-4-17
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