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| 型号 | 功能描述 | 生产厂家 企业 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
SI9934DY | Dual P-Channel 2.5V Specified PowerTrench MOSFET General Description This P-Channel 2.5V specified MOSFET is a rugged gate version of Fairchild Semiconductor’s advanced PowerTrench process. It has been optimized for power management applications with a wide range of gate drive voltage (2.5V – 12V). Features • –5 A, –20 V, RDS(ON) = 50 mΩ @ VG | FAIRCHILD 仙童半导体 |   | |
SI9934DY | Dual P-Channel 2.5-V (G-S) MOSFET Dual P-Channel 2.5-V (G-S) MOSFET 2.5-V Rated | VISHAYVishay Siliconix 威世威世科技公司 | | |
Si9934DY | 20-V (D-S) Dual | VISHAYVishay Siliconix 威世威世科技公司 | | |
SI9934DY | Dual P-Channel 2.5V Specified PowerTrench MOSFET | ONSEMI 安森美半导体 | | |
Dual P-Channel 20V (D-S) MOSFET 文件：1.35093 Mbytes Page：8 Pages | VBSEMI 微碧半导体 | | ||
Dual P-Channel 2.5-V (G-S) MOSFET FEATURES • TrenchFET® Power MOSFET | VISHAYVishay Siliconix 威世威世科技公司 | | ||
Complementary These dual N- and P-Channel enhancement mode power field effect transistors are produced using Fairchild Semiconductor’s advanced PowerTrench process that has been especially tailored to minimize on-state ressitance and yet maintain superior switching performance. These devices are well suited | FAIRCHILD 仙童半导体 | | ||
2N AND 2P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET 文件：96.7 Kbytes Page：7 Pages | A-POWER 富鼎先进电子 | |
SI9934DY产品属性
- 类型
描述
- 型号
SI9934DY
- 功能描述
MOSFET SO8 DUAL PCH
- RoHS
否
- 制造商
STMicroelectronics
- 晶体管极性
N-Channel
- 汲极/源极击穿电压
650 V
- 闸/源击穿电压
25 V
- 漏极连续电流
130 A 电阻汲极/源极
- RDS（导通）
0.014 Ohms
- 配置
Single
- 安装风格
Through Hole
- 封装/箱体
Max247
- 封装
Tube
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
onsemi(安森美) |
25+ |
SOIC-8 |
21000 |
正规渠道,免费送样。支持账期,BOM一站式配齐 |
|||
SIX |
23+ |
NA |
20000 |
全新原装假一赔十 |
|||
VISHAY |
20+ |
SOP-8 |
63258 |
原装优势主营型号-可开原型号增税票 |
|||
VISHAY |
24+ |
SOP8 |
9800 |
一级代理/全新原装现货/长期供应! |
|||
VISHAY |
25+ |
SOP-8 |
3445 |
百分百原装正品 真实公司现货库存 本公司只做原装 可 |
|||
VISHAY/威世 |
23+ |
SOP8 |
3000 |
原装正品假一罚百!可开增票! |
|||
SILICONIX |
26+ |
SOP-8P |
12735 |
代理全系列销售,全新原装正品,价格优势,长期供应,量大可订 |
|||
Vishay(威世) |
23+ |
NA |
20094 |
正纳10年以上分销经验原装进口正品做服务做口碑有支持 |
|||
FAIRCHIL |
24+ |
SMD |
20000 |
一级代理原装现货假一罚十 |
|||
SI |
25+ |
SOP |
4500 |
全新原装、诚信经营、公司现货销售! |
SI9934DY规格书下载地址
SI9934DY参数引脚图相关
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- SI9988
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- SI9986
- SI9979
- SI9978
- SI9976
- SI9961A
- SI9961
- SI9945AEY-T1-E3
- SI9945AEY-T1
- SI9945AEY-E3
- SI9945AEY
- SI9942DY-T1
- SI9942-DY
- SI9942DY
- SI9940DY
- SI9939DY-T1
- SI9939DY
- SI9936DY-T1
- SI9936DY,518
- SI9936DY
- SI9936D4
- SI9936BDY-T1-GE3
- SI9936BDY-T1-E3
- SI9936BDY-E3
- SI9936BDY_07
- SI9936BDY
- SI9934DY-T1
- SI9934BDY-T1-GE3
- SI9934BDY-T1-E3
- SI9934BDY-E3
- SI9934BDY_06
- SI9934BDY
- SI9933DY-T1
- SI9933DY
- SI9933CDY-T1-GE3
- SI9933CDY-T1-E3
- SI9933CDY
- SI9933BDY-T1-GE3
- SI9933BDY-T1-E3
- SI9933BDY-T1
- SI9933BDY-E3
- SI9933BDY
- SI9933ADY-T1
- SI9933ADY
- SI9928DY-T1
- SI9928DY
- SI9926DY-T1
- SI9926
- SI9925
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- SI9912
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2020-9-18SI9945BDY-T1-GE3原装现货
瀚佳科技（深圳）有限公司 专业进口电子元器件代理商
2020-7-30SI9933CDY-T1-GE3原装现货
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2020-7-30SI9912-半桥式开关电源的MOSFET驱动器
描述 该Si9912是一个双MOSFET高速驱动程序打破前先。它的设计工作在高频率的DC - DC开关电源。高边驱动器自举来处理相关的高压摆率与“浮动“高边栅极驱动器。每个驱动程序的处理能力开关60- ns的propogation延迟，3000 pF负载25 ns的过渡时间。该Si9912配备了一个内部打破前先功能，以防止直通电流外部MOSFET。关断引脚用于使驱动程序。禁用时，驱动程序的静态电流答：小于5该Si9912可在标准及无铅（Pb），免8针操作SOIC封装，在产业化经营范围（鈭C至85℃）。 特点 4.5至5.5 V操作
2013-2-25SI9910-自适应功率MOSFET Driver1
描述 功率MOSFET驱动器的Si9910提供优化的栅极驱动信号，保护电路和逻辑电平接口。非常低静态电流是由一个CMOS缓冲器和一个大电流发射极跟随器输出级。这种高效率允许在高电压应用程序的运行与桥梁“引导”或“充泵“浮动电源技术。非反相输出电流最小化配置排水管一个N-通道“的“状态。逻辑输入在内部二极管钳位，允许简单的上拉高边驱动器了。故障保护电路检测欠压或输出短路状态，并禁止功率MOSFET。一个外部电阻器的最高限额增加的di / dt的对外部功率MOSFET。一个快速的反馈电路可用于限制贯通电流在社群推荐信任（二极管反向恢复时间）在一桥配置。该Si9910采用8引脚塑料
2013-2-25Si9976-N沟道半桥式驱动器
描述 该Si9976DY是一个N沟道集成的驱动器MOSFET的半桥。施密特触发器输入提供逻辑信号兼容性和滞后的噪音增加免疫力。内部低电压稳压器允许器件对供电系统从20到40五，直接供应两个半桥式N通道闸直接驱动低阻抗输出。另外一个外部电容允许将这两个级别的电源内部电路...和逻辑信号半桥高端N-通道闸驱动器。内部电荷泵代替泄漏电流损失在高侧驱动器电路，以提供“静态“（DC）的操作在任何输出条件。保护功能包括一欠压锁定，交叉传导预防的逻辑，短路显示器。该Si9976DY是可用14引脚SOIC（表面贴装）封装，规定工作在工业（-40至85 ° C）温度范围。...
2013-2-7
DdatasheetPDF页码索引
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