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| 型号 | 功能描述 | 生产厂家 企业 | LOGO | 操作 |
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SI9934BDY | Dual P-Channel 2.5-V (G-S) MOSFET FEATURES • TrenchFET® Power MOSFET | VISHAYVishay Siliconix 威世威世科技公司 |   | |
SI9934BDY | Dual P-Channel 2.5-V (G-S) MOSFET FEATURES • Halogen-free According to IEC 61249-2-21 Definition • TrenchFET® Power MOSFET • Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC | VISHAYVishay Siliconix 威世威世科技公司 | | |
Si9934BDY | Dual P-Channel 2.5-V (G-S) MOSFET | VISHAYVishay Siliconix 威世威世科技公司 | | |
SI9934BDY | Dual P-Channel 2.5-V (G-S) MOSFET 文件：210.4 Kbytes Page：4 Pages | VISHAYVishay Siliconix 威世威世科技公司 | | |
Dual P-Channel 2.5-V (G-S) MOSFET FEATURES • Halogen-free According to IEC 61249-2-21 Definition • TrenchFET® Power MOSFET • Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC | VISHAYVishay Siliconix 威世威世科技公司 | | ||
Dual P-Channel 2.5-V (G-S) MOSFET FEATURES • TrenchFET® Power MOSFET | VISHAYVishay Siliconix 威世威世科技公司 | | ||
Dual P-Channel 2.5-V (G-S) MOSFET FEATURES • TrenchFET® Power MOSFET | VISHAYVishay Siliconix 威世威世科技公司 | | ||
Dual P-Channel 2.5-V (G-S) MOSFET 文件：210.4 Kbytes Page：4 Pages | VISHAYVishay Siliconix 威世威世科技公司 | | ||
Dual P-Channel 2.5V Specified PowerTrench MOSFET General Description This P-Channel 2.5V specified MOSFET is a rugged gate version of Fairchild Semiconductor’s advanced PowerTrench process. It has been optimized for power management applications with a wide range of gate drive voltage (2.5V – 12V). Features • –5 A, –20 V, RDS(ON) = 50 mΩ @ VG | FAIRCHILD 仙童半导体 | | ||
Dual P-Channel 2.5-V (G-S) MOSFET Dual P-Channel 2.5-V (G-S) MOSFET 2.5-V Rated | VISHAYVishay Siliconix 威世威世科技公司 | | ||
Complementary These dual N- and P-Channel enhancement mode power field effect transistors are produced using Fairchild Semiconductor’s advanced PowerTrench process that has been especially tailored to minimize on-state ressitance and yet maintain superior switching performance. These devices are well suited | FAIRCHILD 仙童半导体 | | ||
2N AND 2P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET 文件：96.7 Kbytes Page：7 Pages | A-POWER 富鼎先进电子 | |
SI9934BDY产品属性
- 类型
描述
- 型号
SI9934BDY
- 制造商
Vishay Siliconix
- 功能描述
MOSFET DUAL PP SO-8
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
VISHAY |
2016+ |
SOP8 |
3900 |
只做原装,假一罚十,公司可开17%增值税发票! |
|||
23+ |
SOP8 |
20000 |
全新原装假一赔十 |
||||
VISHAY/威世 |
25+ |
SOP-8 |
20300 |
VISHAY/威世原装特价SI9934BDY-T1-E3即刻询购立享优惠#长期有货 |
|||
VISHAY/威世 |
2026+ |
SOP-8 |
54658 |
百分百原装现货 实单必成 |
|||
Vishay Siliconix |
22+ |
8SO |
9000 |
原厂渠道,现货配单 |
|||
VISHAY |
1347+ |
SOP8 |
354 |
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 |
|||
Vishay |
24+ |
NA |
3000 |
进口原装正品优势供应 |
|||
VISHAY/威世 |
2223+ |
SOP-8 |
26800 |
只做原装正品假一赔十为客户做到零风险 |
|||
VISHAY/威世 |
2450+ |
SOP-8 |
9850 |
只做原厂原装正品现货或订货假一赔十! |
|||
VISHAY |
25+ |
SOP-8 |
7500 |
百分百原装正品 真实公司现货库存 本公司只做原装 可 |
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2020-9-18SI9945BDY-T1-GE3原装现货
瀚佳科技（深圳）有限公司 专业进口电子元器件代理商
2020-7-30SI9933CDY-T1-GE3原装现货
瀚佳科技（深圳）有限公司 专业进口电子元器件代理商
2020-7-30SI9912-半桥式开关电源的MOSFET驱动器
描述 该Si9912是一个双MOSFET高速驱动程序打破前先。它的设计工作在高频率的DC - DC开关电源。高边驱动器自举来处理相关的高压摆率与“浮动“高边栅极驱动器。每个驱动程序的处理能力开关60- ns的propogation延迟，3000 pF负载25 ns的过渡时间。该Si9912配备了一个内部打破前先功能，以防止直通电流外部MOSFET。关断引脚用于使驱动程序。禁用时，驱动程序的静态电流答：小于5该Si9912可在标准及无铅（Pb），免8针操作SOIC封装，在产业化经营范围（鈭C至85℃）。 特点 4.5至5.5 V操作
2013-2-25SI9910-自适应功率MOSFET Driver1
描述 功率MOSFET驱动器的Si9910提供优化的栅极驱动信号，保护电路和逻辑电平接口。非常低静态电流是由一个CMOS缓冲器和一个大电流发射极跟随器输出级。这种高效率允许在高电压应用程序的运行与桥梁“引导”或“充泵“浮动电源技术。非反相输出电流最小化配置排水管一个N-通道“的“状态。逻辑输入在内部二极管钳位，允许简单的上拉高边驱动器了。故障保护电路检测欠压或输出短路状态，并禁止功率MOSFET。一个外部电阻器的最高限额增加的di / dt的对外部功率MOSFET。一个快速的反馈电路可用于限制贯通电流在社群推荐信任（二极管反向恢复时间）在一桥配置。该Si9910采用8引脚塑料
2013-2-25Si9976-N沟道半桥式驱动器
描述 该Si9976DY是一个N沟道集成的驱动器MOSFET的半桥。施密特触发器输入提供逻辑信号兼容性和滞后的噪音增加免疫力。内部低电压稳压器允许器件对供电系统从20到40五，直接供应两个半桥式N通道闸直接驱动低阻抗输出。另外一个外部电容允许将这两个级别的电源内部电路...和逻辑信号半桥高端N-通道闸驱动器。内部电荷泵代替泄漏电流损失在高侧驱动器电路，以提供“静态“（DC）的操作在任何输出条件。保护功能包括一欠压锁定，交叉传导预防的逻辑，短路显示器。该Si9976DY是可用14引脚SOIC（表面贴装）封装，规定工作在工业（-40至85 ° C）温度范围。...
2013-2-7
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