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| 型号 | 功能描述 | 生产厂家&企业 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
SI9926BDY | DualN-Channel2.5-V(G-S)MOSFET DESCRIPTION Theattachedspicemodeldescribesthetypicalelectrical characteristicsofthen-channelverticalDMOS.Thesubcircuit modelisextractedandoptimizedoverthe−55to125°C temperaturerangesunderthepulsed0to5Vgatedrive.The saturatedoutputimpedanceisbest | VishayVishay Siliconix 威世科技 |  |   |
SI9926BDY | DualN-Channel2.5-V(G-S)MOSFET FEATURES •Halogen-freeAccordingtoIEC61249-2-21 Definition •TrenchFET®PowerMOSFETS •ComplianttoRoHSDirective2002/95/EC | VishayVishay Siliconix 威世科技 | | |
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DualN-Channel2.5-V(G-S)MOSFET FEATURES •Halogen-freeAccordingtoIEC61249-2-21 Definition •TrenchFET®PowerMOSFETS •ComplianttoRoHSDirective2002/95/EC | VishayVishay Siliconix 威世科技 | | | |
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DualN-Channel20-V(D-S)MOSFET 文件：996.47 Kbytes Page：7 Pages | VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司 | | | |
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SI9926BDY产品属性
- 类型
描述
- 型号
SI9926BDY
- 功能描述
MOSFET NCH DUAL MOSFET 2.5V(G-S)
- RoHS
否
- 制造商
STMicroelectronics
- 晶体管极性
N-Channel
- 汲极/源极击穿电压
650 V
- 闸/源击穿电压
25 V
- 漏极连续电流
130 A 电阻汲极/源极
- RDS（导通）
0.014 Ohms
- 配置
Single
- 安装风格
Through Hole
- 封装/箱体
Max247
- 封装
Tube
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
VISHAY |
21+ |
SOP8 |
5 |
原装现货。假一赔十 |
|||
VISHAY |
23+ |
SOP-8 |
18000 |
||||
VISHAY |
2020+ |
SOP8 |
2500 |
百分百原装正品 真实公司现货库存 本公司只做原装 可 |
|||
SI |
23+ |
NA/ |
3401 |
原厂直销,现货供应,账期支持! |
|||
Siliconix |
2017+ |
24896 |
深圳代理原装现货进口库存(香港-日本-台湾)开17点增票 |
||||
VISHAY |
1318+ |
8P |
23568 |
优势现货可17%税 |
|||
SILICONIX |
2020+ |
原厂封装 |
350000 |
100%进口原装正品公司现货库存 |
|||
VISHAY |
20+ |
SOP8 |
35830 |
原装优势主营型号-可开原型号增税票 |
|||
SOP-8 |
23+ |
NA |
15659 |
振宏微专业只做正品,假一罚百! |
|||
SILICONIX |
2023+ |
SOP |
3525 |
全新原厂原装产品、公司现货销售 |
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SI9926BDY规格书下载地址
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2020-9-18SI9182DH-AD-T1
2OutputFixed1.8V,3.3VSMD/SMT低压差稳压器,40V1OutputSMD/SMTPositive低压差稳压器,1Output5VSOT-23-5低压差稳压器,SMD/SMTNegative低压差稳压器,15V1ASOT-223-3低压差稳压器,1Output1AAdj低压差稳压器
2020-8-24SI9945BDY-T1-GE3原装现货
瀚佳科技（深圳）有限公司专业进口电子元器件代理商
2020-7-30SI9933CDY-T1-GE3原装现货
瀚佳科技（深圳）有限公司专业进口电子元器件代理商
2020-7-30SI9912-半桥式开关电源的MOSFET驱动器
描述该Si9912是一个双MOSFET高速驱动程序打破前先。它的设计工作在高频率的DC-DC开关电源。高边驱动器自举来处理相关的高压摆率与“浮动“高边栅极驱动器。每个驱动程序的处理能力开关60-ns的propogation延迟，3000pF负载25ns的过渡时间。该Si9912配备了一个内部打破前先功能，以防止直通电流外部MOSFET。关断引脚用于使驱动程序。禁用时，驱动程序的静态电流答：小于5该Si9912可在标准及无铅（Pb），免8针操作SOIC封装，在产业化经营范围（鈭C至85℃）。特点4.5至5.5V操作
2013-2-25SI9910-自适应功率MOSFET Driver1
描述功率MOSFET驱动器的Si9910提供优化的栅极驱动信号，保护电路和逻辑电平接口。非常低静态电流是由一个CMOS缓冲器和一个大电流发射极跟随器输出级。这种高效率允许在高电压应用程序的运行与桥梁“引导”或“充泵“浮动电源技术。非反相输出电流最小化配置排水管一个N-通道“的“状态。逻辑输入在内部二极管钳位，允许简单的上拉高边驱动器了。故障保护电路检测欠压或输出短路状态，并禁止功率MOSFET。一个外部电阻器的最高限额增加的di/dt的对外部功率MOSFET。一个快速的反馈电路可用于限制贯通电流在社群推荐信任（二极管反向恢复时间）在一桥配置。该Si9910采用8引脚塑料
2013-2-25
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