| 型号 | 功能描述 | 生产厂家&企业 | LOGO | 操作 |
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3M??AdhesiveTransferTape966 文件：199 Kbytes Page：8 Pages | 3MMinnesota Mining and Manufacturing 明尼苏达矿务明尼苏达矿务及制造业公司 |  |   | |
AudioPowerAmplifierApplications 文件：120.93 Kbytes Page：4 Pages | TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社東芝 |  | | |
Thefront-endstageofconventionaloff-lineconverters 文件：246.82 Kbytes Page：21 Pages | STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团 |  | | |
TO-92MODPlastic-EncapsulateTransistors 文件：424.85 Kbytes Page：3 Pages | AVICTEKAvic Technology AvicTechnology |  | | |
SILICONN-CHANNELDUALGATEMOS-FET 文件：268.6 Kbytes Page：3 Pages | PhilipsROYAL PHILIPS 飞利浦荷兰皇家飞利浦 |  | |
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
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SI966E数据表相关新闻
SI9139DG-2515-T1 原装现货 价格优势 数量有限
公司只做原装以质量求生存，以诚信谋发展
2022-6-1SI9182DH-AD-T1
2OutputFixed1.8V,3.3VSMD/SMT低压差稳压器,40V1OutputSMD/SMTPositive低压差稳压器,1Output5VSOT-23-5低压差稳压器,SMD/SMTNegative低压差稳压器,15V1ASOT-223-3低压差稳压器,1Output1AAdj低压差稳压器
2020-8-24SI9933CDY-T1-GE3原装现货
瀚佳科技（深圳）有限公司专业进口电子元器件代理商
2020-7-30SI9912-半桥式开关电源的MOSFET驱动器
描述该Si9912是一个双MOSFET高速驱动程序打破前先。它的设计工作在高频率的DC-DC开关电源。高边驱动器自举来处理相关的高压摆率与“浮动“高边栅极驱动器。每个驱动程序的处理能力开关60-ns的propogation延迟，3000pF负载25ns的过渡时间。该Si9912配备了一个内部打破前先功能，以防止直通电流外部MOSFET。关断引脚用于使驱动程序。禁用时，驱动程序的静态电流答：小于5该Si9912可在标准及无铅（Pb），免8针操作SOIC封装，在产业化经营范围（鈭C至85℃）。特点4.5至5.5V操作
2013-2-25SI9910-自适应功率MOSFET Driver1
描述功率MOSFET驱动器的Si9910提供优化的栅极驱动信号，保护电路和逻辑电平接口。非常低静态电流是由一个CMOS缓冲器和一个大电流发射极跟随器输出级。这种高效率允许在高电压应用程序的运行与桥梁“引导”或“充泵“浮动电源技术。非反相输出电流最小化配置排水管一个N-通道“的“状态。逻辑输入在内部二极管钳位，允许简单的上拉高边驱动器了。故障保护电路检测欠压或输出短路状态，并禁止功率MOSFET。一个外部电阻器的最高限额增加的di/dt的对外部功率MOSFET。一个快速的反馈电路可用于限制贯通电流在社群推荐信任（二极管反向恢复时间）在一桥配置。该Si9910采用8引脚塑料
2013-2-25SI9181-微功耗350 mA的CMOS LDO稳压器，有了错误标志/上电复位
特点在350mA负载低150mV的低压降保证350mA输出电流600mA峰值输出电流能力使用低ESR陶瓷输出电容器快速的负载和线路瞬态响应只有100-V（RMS）噪声噪声旁路电容器1-最大关机电流内置短路保护和热保护规管外的错误标志（电源良好或POR）固定1.5V，1.8V，2.0-V，2.5V，2.8-2.85-V，2.9V，3.0V，3.3V，5.0-V的，或可调输出电压选项特别订购
2013-1-12
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