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|---|---|---|---|---|
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TO-92MOD Plastic-Encapsulate Transistors 文件:424.85 Kbytes Page:3 Pages | AVICTEK |
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SI9435BDY-T1-E3 ,17年来只做原装货
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2025-2-15SI9182DH-AD-T1
2 Output Fixed 1.8 V, 3.3 V SMD/SMT 低压差稳压器 , 40 V 1 Output SMD/SMT Positive 低压差稳压器 , 1 Output 5 V SOT-23-5 低压差稳压器 , SMD/SMT Negative 低压差稳压器 , 15 V 1 A SOT-223-3 低压差稳压器 , 1 Output 1 A Adj 低压差稳压器
2020-8-24SI9933CDY-T1-GE3原装现货
瀚佳科技(深圳)有限公司 专业进口电子元器件代理商
2020-7-30SI9910-自适应功率MOSFET Driver1
描述 功率MOSFET驱动器的Si9910提供优化的栅极驱动信号,保护电路和逻辑电平接口。非常低静态电流是由一个CMOS缓冲器和一个大电流发射极跟随器输出级。这种高效率允许在高电压应用程序的运行与桥梁“引导”或“充泵“浮动电源技术。非反相输出电流最小化配置排水管一个N-通道“的“状态。逻辑输入在内部二极管钳位,允许简单的上拉高边驱动器了。故障保护电路检测欠压或输出短路状态,并禁止功率MOSFET。一个外部电阻器的最高限额增加的di / dt的对外部功率MOSFET。一个快速的反馈电路可用于限制贯通电流在社群推荐信任(二极管反向恢复时间)在一桥配置。该Si9910采用8引脚塑料
2013-2-25SI9912-半桥式开关电源的MOSFET驱动器
描述 该Si9912是一个双MOSFET高速驱动程序打破前先。它的设计工作在高频率的DC - DC开关电源。高边驱动器自举来处理相关的高压摆率与“浮动“高边栅极驱动器。每个驱动程序的处理能力开关60- ns的propogation延迟,3000 pF负载25 ns的过渡时间。该Si9912配备了一个内部打破前先功能,以防止直通电流外部MOSFET。关断引脚用于使驱动程序。禁用时,驱动程序的静态电流答:小于5该Si9912可在标准及无铅(Pb),免8针操作SOIC封装,在产业化经营范围(鈭C至85℃)。 特点 4.5至5.5 V操作
2013-2-25SI9181-微功耗350 mA的CMOS LDO稳压器,有了错误标志/上电复位
特点 在350 mA负载低150 mV的低压降 保证350 mA输出电流 600 mA峰值输出电流能力 使用低ESR陶瓷输出电容器 快速的负载和线路瞬态响应 只有100 - V(RMS)噪声噪声旁路电容器 1 - 最大关机电流 内置短路保护和热保护 规管外的错误标志(电源良好或POR) 固定1.5 V,1.8 V,2.0- V,2.5 V,2.8-2.85- V,2.9 V,3.0 V,3.3 V,5.0- V的,或可调输出电压选项 特别订购
2013-1-12
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