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| 型号 | 功能描述 | 生产厂家&企业 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
SI9436DY | N-Channel 30-V (D-S) MOSFET 文件：60.66 Kbytes Page：4 Pages | VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体 |   | |
N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES ■ 30V, 6.2A, RDS(ON) = 38mΩ @VGS = 10V. RDS(ON) = 52mΩ @VGS = 4.5V. ■ Super high dense cell design for extremely low RDS(ON). ■ High power and current handing capability. ■ Surface mount Package. ■ Lead free product is acquired. | CET 华瑞 | | ||
N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES 30V, 6.2A, RDS(ON) = 38mW @VGS = 10V. RDS(ON) = 52mW @VGS = 4.5V. Super high dense cell design for extremely low RDS(ON). High power and current handing capability. Surface mount Package. Lead free product is acquired. | CET-MOSCET-MOS Technology Corp. 华瑞华瑞功率电子股份有限公司 | | ||
N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor VOLTAGE 30 Volts CURRENT 6.2 Ampere FEATURE * Small flat package. (SO-8 ) * High density cell design for extremely low RDS(ON). * Rugged and reliable. * High saturation current capability. APPLICATION * Servo motor control. * Power MOSFET gate drivers. * Other switching applications. | CHENMKO 力勤 | | ||
CABLE MICRO COAXIAL 36AWG 10 文件：124.78 Kbytes Page：4 Pages | ALPHAWIREAlpha Wire 阿尔法电线 | | ||
MACHINE SCREW PAN PHILLIPS 10-32 文件：130.87 Kbytes Page：1 Pages | KEYSTONE Keystone Electronics Corp. | |
SI9436DY产品属性
- 类型
描述
- 型号
SI9436DY
- 功能描述
MOSFET 30V 6.8A 3W
- RoHS
否
- 制造商
STMicroelectronics
- 晶体管极性
N-Channel
- 汲极/源极击穿电压
650 V
- 闸/源击穿电压
25 V
- 漏极连续电流
130 A 电阻汲极/源极
- RDS（导通）
0.014 Ohms
- 配置
Single
- 安装风格
Through Hole
- 封装/箱体
Max247
- 封装
Tube
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
VISHAY/威世 |
24+ |
NA/ |
3045 |
优势代理渠道,原装正品,可全系列订货开增值税票 |
|||
VISHAY/威世 |
24+ |
SOIC-8 |
20009 |
只做原厂渠道 可追溯货源 |
|||
VISHAY |
24+ |
5000 |
有部份现货 |
||||
VIS |
23+ |
SO-8 |
38233 |
原装正品,假一罚十 |
|||
VISHAY |
22+ |
SOP-8 |
25000 |
只有原装原装,支持BOM配单 |
|||
VISHAY/威世 |
23+ |
SOIC-8 |
7000 |
||||
VISHAY/威世 |
25+ |
SOP-8 |
39712 |
VISHAY/威世全新特价Si9436DY-T1-GE3即刻询购立享优惠#长期有货 |
|||
VISHAY |
20+ |
SOP-8 |
2960 |
诚信交易大量库存现货 |
|||
VISHAT |
13+ |
SOP-8 |
63 |
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 |
|||
VISHAT |
2020+ |
SOP-8 |
63 |
百分百原装正品 真实公司现货库存 本公司只做原装 可 |
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SI9436DY参数引脚图相关
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SI9435BDY-T1-E3 ，17年来只做原装货
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2025-2-15SI9182DH-AD-T1
2 Output Fixed 1.8 V, 3.3 V SMD/SMT 低压差稳压器 , 40 V 1 Output SMD/SMT Positive 低压差稳压器 , 1 Output 5 V SOT-23-5 低压差稳压器 , SMD/SMT Negative 低压差稳压器 , 15 V 1 A SOT-223-3 低压差稳压器 , 1 Output 1 A Adj 低压差稳压器
2020-8-24SI9933CDY-T1-GE3原装现货
瀚佳科技（深圳）有限公司 专业进口电子元器件代理商
2020-7-30SI9910-自适应功率MOSFET Driver1
描述 功率MOSFET驱动器的Si9910提供优化的栅极驱动信号，保护电路和逻辑电平接口。非常低静态电流是由一个CMOS缓冲器和一个大电流发射极跟随器输出级。这种高效率允许在高电压应用程序的运行与桥梁“引导”或“充泵“浮动电源技术。非反相输出电流最小化配置排水管一个N-通道“的“状态。逻辑输入在内部二极管钳位，允许简单的上拉高边驱动器了。故障保护电路检测欠压或输出短路状态，并禁止功率MOSFET。一个外部电阻器的最高限额增加的di / dt的对外部功率MOSFET。一个快速的反馈电路可用于限制贯通电流在社群推荐信任（二极管反向恢复时间）在一桥配置。该Si9910采用8引脚塑料
2013-2-25SI9912-半桥式开关电源的MOSFET驱动器
描述 该Si9912是一个双MOSFET高速驱动程序打破前先。它的设计工作在高频率的DC - DC开关电源。高边驱动器自举来处理相关的高压摆率与“浮动“高边栅极驱动器。每个驱动程序的处理能力开关60- ns的propogation延迟，3000 pF负载25 ns的过渡时间。该Si9912配备了一个内部打破前先功能，以防止直通电流外部MOSFET。关断引脚用于使驱动程序。禁用时，驱动程序的静态电流答：小于5该Si9912可在标准及无铅（Pb），免8针操作SOIC封装，在产业化经营范围（鈭C至85℃）。 特点 4.5至5.5 V操作
2013-2-25SI9181-微功耗350 mA的CMOS LDO稳压器，有了错误标志/上电复位
特点 在350 mA负载低150 mV的低压降 保证350 mA输出电流 600 mA峰值输出电流能力 使用低ESR陶瓷输出电容器 快速的负载和线路瞬态响应 只有100 - V（RMS）噪声噪声旁路电容器 1 - 最大关机电流 内置短路保护和热保护 规管外的错误标志（电源良好或POR） 固定1.5 V，1.8 V，2.0- V，2.5 V，2.8-2.85- V，2.9 V，3.0 V，3.3 V，5.0- V的，或可调输出电压选项 特别订购
2013-1-12
DdatasheetPDF页码索引
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