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| 型号 | 功能描述 | 生产厂家&企业 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
SI4812DY-T1-E3 | N-Channel 30-V (D-S) MOSFET with Schottky Diode 文件：57.17 Kbytes Page：5 Pages | VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体 |   |
SI4812DY-T1-E3产品属性
- 类型
描述
- 型号
SI4812DY-T1-E3
- 功能描述
MOSFET 30V 9A 2.5W
- RoHS
否
- 制造商
STMicroelectronics
- 晶体管极性
N-Channel
- 汲极/源极击穿电压
650 V
- 闸/源击穿电压
25 V
- 漏极连续电流
130 A 电阻汲极/源极
- RDS（导通）
0.014 Ohms
- 配置
Single
- 安装风格
Through Hole
- 封装/箱体
Max247
- 封装
Tube
更新时间：2025-8-9 20:00:00
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
VIS |
24+ |
NA/ |
18727 |
优势代理渠道,原装正品,可全系列订货开增值税票 |
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VISHAY/威世 |
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SOP-8 |
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VISHAY/威世 |
25+ |
SOP8 |
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VISHAY/威世全新特价SI4812DY-T1-E3即刻询购立享优惠#长期有货 |
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VISHAY/威世 |
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ROHS |
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VISHAY |
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SOP-8 |
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VISHAY |
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SOP8 |
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