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| 型号 | 功能描述 | 生产厂家&企业 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
SI4102DY-T1-E3 | N-Channel100V(D-S)MOSFET FEATURES •TrenchFET®PowerMOSFET •100UISTested APPLICATIONS •HighFrequencyBoostConverter •LEDBacklightforLCDTV | VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司 |  |   |
SI4102DY-T1-E3产品属性
- 类型
描述
- 型号
SI4102DY-T1-E3
- 功能描述
MOSFET 100V 3.8A 4.8W
- RoHS
否
- 制造商
STMicroelectronics
- 晶体管极性
N-Channel
- 汲极/源极击穿电压
650 V
- 闸/源击穿电压
25 V
- 漏极连续电流
130 A 电阻汲极/源极
- RDS（导通）
0.014 Ohms
- 配置
Single
- 安装风格
Through Hole
- 封装/箱体
Max247
- 封装
Tube
更新时间：2024-6-20 11:42:00
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
VISHAY/威世 |
SOP8 |
11200 |
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VB |
2019 |
SOP-8 |
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VBsemi |
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SOP8 |
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VISHAY |
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SOP-8 |
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VBsemi |
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SOP8 |
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VISHAY |
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SOP |
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VISHAY |
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NA |
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VBsemi/台湾微碧 |
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2019-12-13
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