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SI3435DV-T1-GE3

P-Channel30-V(D-S)MOSFET

FEATURES •Halogen-freeAccordingtoIEC61249-2-21 Available •TrenchFET®PowerMOSFET APPLICATIONS •LoadSwitch

VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd

微碧半导体微碧半导体(台湾)有限公司

VBSEMI

SI3435DV-T1-GE3产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    SI3435DV-T1-GE3

  • 功能描述

    MOSFET 12V 6.3A 2.0W 36mohm @ 4.5V

  • RoHS

  • 制造商

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压

    650 V

  • 闸/源击穿电压

    25 V

  • 漏极连续电流

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通)

    0.014 Ohms

  • 配置

    Single

  • 安装风格

    Through Hole

  • 封装/箱体

    Max247

  • 封装

    Tube

更新时间:2024-6-12 20:00:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
VISHAY/威世
23+
NA/
6250
原厂直销,现货供应,账期支持!
VISHAY/威世
23+
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SOT23-6
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16年电子元件现货供应商 终端BOM表可配单提供样品
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百分百原装正品 真实公司现货库存 本公司只做原装 可
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VISHAY/威世
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柒号芯城跟原厂的距离只有0.07公分

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