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| 型号 | 功能描述 | 生产厂家 企业 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
SI3435DV-T1-GE3 | P-Channel 30-V (D-S) MOSFET FEATURES • Halogen-free According to IEC 61249-2-21 Available • TrenchFET® Power MOSFET APPLICATIONS • Load Switch | VBSEMI 微碧半导体 |   |
SI3435DV-T1-GE3产品属性
- 类型
描述
- 型号
SI3435DV-T1-GE3
- 功能描述
MOSFET 12V 6.3A 2.0W 36mohm @ 4.5V
- RoHS
否
- 制造商
STMicroelectronics
- 晶体管极性
N-Channel
- 汲极/源极击穿电压
650 V
- 闸/源击穿电压
25 V
- 漏极连续电流
130 A 电阻汲极/源极
- RDS（导通）
0.014 Ohms
- 配置
Single
- 安装风格
Through Hole
- 封装/箱体
Max247
- 封装
Tube
更新时间：2025-11-20 23:00:00
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
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SI3435DV-T1-GE3规格书下载地址
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2020-11-13SI3445DV-T1
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2020-11-13SI3443BDV-T1-E3目标原装/认准焕盛达
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2020-9-18SI3429EDV-T1-GE3
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瀚佳科技（深圳）有限公司 专业进口电子元器件代理商
2019-9-3
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