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| 型号 | 功能描述 | 生产厂家 企业 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
VISHAY | ETC |   | ||
VISHAY | ETC | | ||
VISHAY | ETC | |
SI3435DV-T1-E3产品属性
- 类型
描述
- 型号
SI3435DV-T1-E3
- 功能描述
MOSFET 12V 4.8A 2W
- RoHS
否
- 制造商
STMicroelectronics
- 晶体管极性
N-Channel
- 汲极/源极击穿电压
650 V
- 闸/源击穿电压
25 V
- 漏极连续电流
130 A 电阻汲极/源极
- RDS（导通）
0.014 Ohms
- 配置
Single
- 安装风格
Through Hole
- 封装/箱体
Max247
- 封装
Tube
更新时间：2025-11-20 23:00:02
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
VISHAY/威世 |
24+ |
NA/ |
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VISHAY/威世 |
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VISHAY |
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Vishay(威世) |
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VISHAY/威世 |
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VISHAY/威世 |
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SOT23-6 |
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2020-11-13SI3445DV-T1
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2019-9-3
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