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SI3434DV-T1-GE3

N-Channel30V(D-S)MOSFET

FEATURES •Halogen-freeAccordingtoIEC61249-2-21Definition •TrenchFET®PowerMOSFET •LowOn-Resistance •100RgTested •ComplianttoRoHSDirective2002/95/EC APPLICATIONS •DC/DCConverters,HighSpeedSwitching

VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd

微碧半导体微碧半导体(台湾)有限公司

VBSEMI

SI3434DV-T1-GE3产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    SI3434DV-T1-GE3

  • 功能描述

    MOSFET 30V 6.1A 2.0W 34mohm @ 4.5V

  • RoHS

  • 制造商

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压

    650 V

  • 闸/源击穿电压

    25 V

  • 漏极连续电流

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通)

    0.014 Ohms

  • 配置

    Single

  • 安装风格

    Through Hole

  • 封装/箱体

    Max247

  • 封装

    Tube

更新时间:2024-6-5 11:19:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
VISHAY
23+
SOT-23-
8560
受权代理!全新原装现货特价热卖!
SK
22+
SOT23-6
45600
原装正品
VISHAY/威世
22+
6-TSOP
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VISHAY
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SOT23-6
80000
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VISHAY/威世
23+
SOT23-6
50000
全新原装正品现货,支持订货
Micro Commercial Co
23+
SMD
67000
原装正品实单可谈 库存现货
VishaySiliconix
2019+
SOT-23-6Thin
65500
TSOT-23-6
23+
N/A
56000
一级代理放心采购
VISHAY/威世
24+23+
TSOP-6
12580
16年电子元件现货供应商 终端BOM表可配单提供样品
VBsemi/台湾微碧
SOT-23-6
39099
集团化配单-有更多数量-免费送样-原包装正品现货-正规

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