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SI3434DV-T1-GE3中文资料
SI3434DV-T1-GE3数据手册规格书PDF详情
FEATURES
• Halogen-free According to IEC 61249-2-21 Definition
• TrenchFET® Power MOSFET
• Low On-Resistance
• 100 Rg Tested
• Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC
APPLICATIONS
• DC/DC Converters, High Speed Switching
SI3434DV-T1-GE3产品属性
- 类型
描述
- 型号
SI3434DV-T1-GE3
- 功能描述
MOSFET 30V 6.1A 2.0W 34mohm @ 4.5V
- RoHS
否
- 制造商
STMicroelectronics
- 晶体管极性
N-Channel
- 汲极/源极击穿电压
650 V
- 闸/源击穿电压
25 V
- 漏极连续电流
130 A 电阻汲极/源极
- RDS（导通）
0.014 Ohms
- 配置
Single
- 安装风格
Through Hole
- 封装/箱体
Max247
- 封装
Tube
更新时间：2025-12-4 10:02:00
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
VBsemi(微碧半导体) |
23+ |
TSOP-6 |
2920 |
三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET) |
|||
VISHAY/威世 |
2025+ |
SOT-163 |
5000 |
原装进口,免费送样品! |
|||
VISHAY/威世 |
2019+ |
SOT-163 |
78550 |
原厂渠道 可含税出货 |
|||
VISHAY/威世 |
20+ |
TSOP-6 |
120000 |
原装正品 可含税交易 |
|||
NK/南科功率 |
TSOP-6 |
2255 |
国产南科平替供应大量 |
||||
VISHAY |
25+ |
SOT23-6 |
15000 |
百分百原装正品 真实公司现货库存 本公司只做原装 可 |
|||
VISHAY |
17+ |
SOT23-6 |
6200 |
100%原装正品现货 |
|||
VISHAY |
23+ |
SOT-23- |
8560 |
受权代理!全新原装现货特价热卖! |
|||
VISHAY |
24+ |
SOT23-6 |
20000 |
全新原厂原装，进口正品现货，正规渠道可含税！！ |
|||
VISHAY/威世 |
23+ |
TSOP-6 |
50000 |
全新原装正品现货,支持订货 |
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