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| 型号 | 功能描述 | 生产厂家&企业 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
6.2Amps,600/650VoltsN-CHANNELMOSFET DESCRIPTION TheUTC6N60isahighvoltagepowerMOSFETandisdesignedtohavebettercharacteristics,suchasfastswitchingtime,lowgatecharge,lowon-stateresistanceandhaveahighruggedavalanchecharacteristics.ThispowerMOSFETisusuallyusedathighspeedswitchingapplications | UTCYoushun Technology Co., Ltd 友顺友顺科技股份有限公司 |  |   | |
AvalancheEnergySpecified DESCRITION ·Designedforhighefficiencyswitchmodepowersupply. FEATURES ·DrainCurrent–ID=6A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-:VDSS=600V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance:RDS(on)=1.2Ω(Max) ·AvalancheEnergySpecified ·FastSwitching ·SimpleDriveRequirements | ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司 |  | | |
N-CHANNELPOWERMOSFET 文件：460.3 Kbytes Page：6 Pages | ZSELECZibo Seno Electronic Engineering Co.,Ltd 淄博圣诺电子淄博圣诺电子工程有限公司 |  | | |
N-ChannelPowerMOSFET 文件：486.21 Kbytes Page：10 Pages | NELLSEMINell Semiconductor Co., Ltd 尼爾半導體尼爾半導體股份有限公司 |  | | |
N-Channel600V(D-S)PowerMOSFET 文件：1.0803 Mbytes Page：9 Pages | VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司 |  | |
SGP6N60UFTU产品属性
- 类型
描述
- 型号
SGP6N60UFTU
- 功能描述
IGBT 晶体管
- RoHS
否
- 制造商
Fairchild Semiconductor
- 配置
集电极—发射极最大电压
- VCEO
650 V
- 集电极—射极饱和电压
2.3 V
- 栅极/发射极最大电压
20 V 在25
- C的连续集电极电流
150 A
- 栅极—射极漏泄电流
400 nA
- 功率耗散
187 W
- 封装/箱体
TO-247
- 封装
Tube
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
AAT |
23+ |
11538 |
3500 |
全新原装现货 |
|||
FAIRCHILD/华 |
23+24 |
TO220F |
96580 |
主营:存储.逻辑.放大.电源.接口.驱动.充电. 功放IC. |
|||
WVISHAYCOM/DOCS//CMFMILPDF |
ohm100PPMdc300w/4D37l87 |
20000 |
全新原装现货 样品可售 |
||||
UTC/友顺 |
22+ |
TO-220 |
25000 |
只有原装绝对原装,支持BOM配单! |
|||
F |
23+ |
TOP220 |
4500 |
全新原装、诚信经营、公司现货销售 |
|||
Rongtai(容泰半导体) |
1年内 |
TO-220C |
59689 |
容泰经销商 共奕芯城一站式电子元器采购平台支持自助 |
|||
FAIRCHILD |
2023+ |
TO-220F |
58000 |
进口原装,现货热卖 |
|||
FAIRCHILD/仙童 |
10264 |
原装现货实单必成 只做原装！ |
|||||
12+ |
TO-263 |
15000 |
全新原装,绝对正品,公司现货供应。 |
||||
FSC |
23+ |
TO220F |
3000 |
原装正品假一罚百!可开增票! |
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