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| 型号 | 功能描述 | 生产厂家&企业 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
6.2Amps,600/650VoltsN-CHANNELMOSFET DESCRIPTION TheUTC6N60isahighvoltagepowerMOSFETandisdesignedtohavebettercharacteristics,suchasfastswitchingtime,lowgatecharge,lowon-stateresistanceandhaveahighruggedavalanchecharacteristics.ThispowerMOSFETisusuallyusedathighspeedswitchingapplications | UTCUnisonic Technologies 友顺友顺科技股份有限公司 |  |   | |
AvalancheEnergySpecified DESCRITION ·Designedforhighefficiencyswitchmodepowersupply. FEATURES ·DrainCurrent–ID=6A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-:VDSS=600V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance:RDS(on)=1.2Ω(Max) ·AvalancheEnergySpecified ·FastSwitching ·SimpleDriveRequirements | ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司 |  | | |
N-CHANNELPOWERMOSFET 文件：460.3 Kbytes Page：6 Pages | ZSELECZibo Seno Electronic Engineering Co.,Ltd 淄博圣诺电子淄博圣诺电子工程有限公司 |  | | |
N-ChannelPowerMOSFET 文件：486.21 Kbytes Page：10 Pages | NELLSEMINell Semiconductor Co., Ltd 尼尔半导体尼尔半导体股份有限公司 |  | | |
N-Channel600V(D-S)PowerMOSFET 文件：1.0803 Mbytes Page：9 Pages | VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司 |  | |
SGP6N60UFTU产品属性
- 类型
描述
- 型号
SGP6N60UFTU
- 功能描述
IGBT 晶体管
- RoHS
否
- 制造商
Fairchild Semiconductor
- 配置
集电极—发射极最大电压
- VCEO
650 V
- 集电极—射极饱和电压
2.3 V
- 栅极/发射极最大电压
20 V 在25
- C的连续集电极电流
150 A
- 栅极—射极漏泄电流
400 nA
- 功率耗散
187 W
- 封装/箱体
TO-247
- 封装
Tube
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
AAT/FSC |
18+ |
TO-220F |
5000 |
电解电容绝对现货库存,样品可出,量大价优 |
|||
AAT |
16+ |
TO-220/F |
50000 |
原装现货假一罚十 |
|||
NIKOS |
23+ |
NA/ |
15000 |
优势代理渠道,原装正品,可全系列订货开增值税票 |
|||
华晶 |
TO-220F |
50000 |
一级代理 原装正品假一罚十价格优势长期供货 |
||||
F |
23+ |
TOP220 |
4500 |
全新原装、诚信经营、公司现货销售 |
|||
UTC/友顺 |
22+ |
TO-220F |
9850 |
只做原装正品假一赔十!正规渠道订货! |
|||
INMET |
23+ |
N(MF) |
5000 |
原厂授权代理,海外优势订货渠道。可提供大量库存,详 |
|||
UTC/友顺 |
22+ |
TO-220 |
25000 |
只有原装绝对原装,支持BOM配单! |
|||
TO-220F |
23+ |
NA |
15659 |
振宏微专业只做正品,假一罚百! |
|||
UTC |
TO-220 |
608900 |
原包原标签100%进口原装常备现货! |
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