SGH40N60UFDTU价格

参考价格:¥0.0000

型号:SGH40N60UFDTU 品牌:FAIRCHILD 备注:这里有SGH40N60UFDTU多少钱,2025年最近7天走势,今日出价,今日竞价,SGH40N60UFDTU批发/采购报价,SGH40N60UFDTU行情走势销售排行榜,SGH40N60UFDTU报价。
型号 功能描述 生产厂家 企业 LOGO 操作
SGH40N60UFDTU

Ultra-Fast IGBT

文件:652.49 Kbytes Page:8 Pages

Fairchild

仙童半导体

SGH40N60UFDTU

封装/外壳:TO-3P-3,SC-65-3 包装:管件 描述:IGBT 600V 40A 160W TO3P 分立半导体产品 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单

ONSEMI

安森美半导体

Low VCE(sat) IGBT, High Speed IGBT

Short Circuit SOA Capability. 40N60, 40N60A

IXYS

艾赛斯

40A, 600V FIELD STOP IGBT

DESCRIPTION SGT40N60NPFDPN using Field Stop IGBT technology, offer the optimum performance for induction Heating, UPS, SMPS and PFC application. FEATURES 40A, 600V, VCE(sat)(typ.)=1.8V@IC=40A Low conduction loss Fast switching High input impedance

SILAN

士兰微

IGBT

文件:247.74 Kbytes Page:9 Pages

ONSEMI

安森美半导体

Super Junction FREDFET

文件:191.93 Kbytes Page:5 Pages

ADPOW

Super Junction FREDFET

文件:317.04 Kbytes Page:5 Pages

Microsemi

美高森美

SGH40N60UFDTU产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    SGH40N60UFDTU

  • 功能描述

    IGBT 晶体管 Dis High Perf IGBT

  • RoHS

  • 制造商

    Fairchild Semiconductor

  • 配置

    集电极—发射极最大电压

  • VCEO

    650 V

  • 集电极—射极饱和电压

    2.3 V

  • 栅极/发射极最大电压

    20 V 在25

  • C的连续集电极电流

    150 A

  • 栅极—射极漏泄电流

    400 nA

  • 功率耗散

    187 W

  • 封装/箱体

    TO-247

  • 封装

    Tube

更新时间:2025-11-21 16:52:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
onsemi(安森美)
24+
TO-3P
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FAIRCHILD/仙童
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原厂原装,价格优势

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