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位置：首页 > IC中文资料第5965页 > SFW9Z24TM

型号 功能描述 生产厂家 企业 LOGO 操作
IRF9Z24

P-CHANNEL POWER MOSFETs

FEATURES • Lower RDS(ON) • Improved inductive ruggedness • Fast switching times • Rugged polysilicon gate cell structure • Lower input capacitance • Extended safe operating area • Improved high tmeperature reliability

Samsung

三星

IRF9Z24

Power MOSFET

DESCRIPTION Third generation Power MOSFETs from Vishay provide the designer with the best combination of fast switching, ruggedized device design, low on-resistance and cost-effectiveness. The TO-220 package is universally preferred for all commercial-industrial applications at power dissipa

VishayVishay Siliconix

威世

IRF9Z24

POWER MOSFET

Description Third Generation HEXFETs International Rectifier provide the designer with the best combination of fast switching, ruggedized device design, low on-resistance and cost-effectiveness. The TO-220 package is universally preferred for all commercial-industrial applications at power dissi

IRF

IRF9Z24

isc N-Channel MOSFET Transistor

文件：280.77 Kbytes Page：2 Pages

ISC

无锡固电

IRF9Z24

Power MOSFET

文件：277.52 Kbytes Page：9 Pages

VishayVishay Siliconix

威世

SFW9Z24TM产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    SFW9Z24TM

  • 功能描述

    MOSFET PCh/60V/9.7a/0.28Ohm

  • RoHS

    否

  • 制造商

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压

    650 V

  • 闸/源击穿电压

    25 V

  • 漏极连续电流

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS（导通）

    0.014 Ohms

  • 配置

    Single

  • 安装风格

    Through Hole

  • 封装/箱体

    Max247

  • 封装

    Tube

SFW9Z24TM供应商更多...

更新时间：2025-10-11 20:00:02
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
深圳市金芯世纪电子有限公司
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SFW9Z24TM芯片相关品牌

SFW9Z24TM规格书下载地址

SFW9Z24TM参数引脚图相关

SFW9Z24TM数据表相关新闻

  • SFV8R-3STBE1HLF

    优势渠道

    2023-1-29

  • SFR9230BTM

    SFR9230BTM

    2021-7-23

  • SFSD016GN3PM1TO-I-LF-010-SW3

    SFSD016GN3PM1TO-I-LF-010-SW3

    2021-6-23

  • SFXG50UZ502深圳市光华微科技有限公司18138231376

    联系人：刘冬英 公司电话：0755-83203002 手机：18138231376 QQ号：1546282226、微信号：18138231376 公司名称：深圳市光华微科技有限公司 公司地址：深圳市福田区振兴路华匀大厦1栋712室

    2019-5-6

  • SG1503T-精密2.5伏参考...

    描述 这种单片集成电路是一个完全独立的精密电压参考发生器，内部装饰为± 1％的准确度。需要较少比静态电流为2mA，这种装置可以提供10mA的过剩的总负载和线路引起的误差小于0.5％。另外本计画为电压精度，实现了内部修整温度系数的输出电压通常为10 ppm的/° C的因此，这些提法应用关键仪器和D很好的选择到一个转换器系统。该SG1503规定工作在整个军事环境温度范围-55 ° C至125 ° C，而在SG2503是专为-25 ° C至85 ° C和0℃的商业应用SG3503至70℃ 特征 ·输出电压调整到±1％ ·输入电压范围

    2013-3-15

  • SG1524BJ-调节脉冲宽度调制器

    SG1524B是开关电源的脉宽调制器这功能改善性能超过行业标准SG1524。一个直接的引脚对引脚替代早期的设备，它结合先进的加工技术和电路设计，提供改进的参考精度，并在扩展共模范围误差放大器和电流限制输入。直流耦合触发器消除触发和毛刺的问题，和一个PWM数据锁存器可防止边缘振荡。该电路采用适用于高速数字关机响应，而欠压锁定电路，可以防止杂散输出当电源电压过低，稳定运行。全双脉冲抑制逻辑确保交替输出脉冲时关机引脚用于脉冲通过脉冲电流限制。 SG1524B指定在整个军事环境温度范围-55 ° C至操作125 ° C。 SG2524B的特点是工业温度范围为-25 ° C至是专为商业范围为0 ° C&

    2012-11-26

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