| 型号 | 功能描述 | 生产厂家 企业 | LOGO | 操作 |
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N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description The G36N03K uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON) , low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. Application l Power switch l DC/DC converters | GOFORD 谷峰半导体 |   | ||
N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description The G36N03KA uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON) , low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. AEC-Q101 Qualified Application l Power switch l DC/DC converters | GOFORD 谷峰半导体 | | ||
isc N-Channel MOSFET Transistor FEATURES ·Drain Current -ID= 44A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage -VDSS= 30V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance -RDS(on) = 17mΩ(Max)@VGS= 10V DESCRIPTION ·DC-to-DC Converter ·General Industrial Applications ·Power Motor Control | ISC 无锡固电 | | ||
N-channel TrenchMOS logic level FET 文件：91.74 Kbytes Page：13 Pages | Philips 飞利浦 | | ||
N-channel TrenchMOS logic level FET | ETC 知名厂家 | ETC | |
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
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SFV8R-3STBE1HLF
优势渠道
2023-1-29SFR9230BTM
SFR9230BTM
2021-7-23SFSD016GN3PM1TO-I-LF-010-SW3
SFSD016GN3PM1TO-I-LF-010-SW3
2021-6-23SFXG50UZ502深圳市光华微科技有限公司18138231376
联系人：刘冬英 公司电话：0755-83203002 手机：18138231376 QQ号：1546282226、微信号：18138231376 公司名称：深圳市光华微科技有限公司 公司地址：深圳市福田区振兴路华匀大厦1栋712室
2019-5-6SG1503T-精密2.5伏参考...
描述 这种单片集成电路是一个完全独立的精密电压参考发生器，内部装饰为± 1％的准确度。需要较少比静态电流为2mA，这种装置可以提供10mA的过剩的总负载和线路引起的误差小于0.5％。另外本计画为电压精度，实现了内部修整温度系数的输出电压通常为10 ppm的/° C的因此，这些提法应用关键仪器和D很好的选择到一个转换器系统。该SG1503规定工作在整个军事环境温度范围-55 ° C至125 ° C，而在SG2503是专为-25 ° C至85 ° C和0℃的商业应用SG3503至70℃ 特征 ·输出电压调整到±1％ ·输入电压范围
2013-3-15SG1524BJ-调节脉冲宽度调制器
SG1524B是开关电源的脉宽调制器这功能改善性能超过行业标准SG1524。一个直接的引脚对引脚替代早期的设备，它结合先进的加工技术和电路设计，提供改进的参考精度，并在扩展共模范围误差放大器和电流限制输入。直流耦合触发器消除触发和毛刺的问题，和一个PWM数据锁存器可防止边缘振荡。该电路采用适用于高速数字关机响应，而欠压锁定电路，可以防止杂散输出当电源电压过低，稳定运行。全双脉冲抑制逻辑确保交替输出脉冲时关机引脚用于脉冲通过脉冲电流限制。 SG1524B指定在整个军事环境温度范围-55 ° C至操作125 ° C。 SG2524B的特点是工业温度范围为-25 ° C至是专为商业范围为0 ° C&
2012-11-26
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