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型号 功能描述 生产厂家 企业 LOGO 操作
PHD36N03LT

isc N-Channel MOSFET Transistor

FEATURES ·Drain Current -ID= 44A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage -VDSS= 30V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance -RDS(on) = 17mΩ(Max)@VGS= 10V DESCRIPTION ·DC-to-DC Converter ·General Industrial Applications ·Power Motor Control

ISC

无锡固电

PHD36N03LT

N-channel TrenchMOS logic level FET

ETC

知名厂家

PHD36N03LT

N-channel TrenchMOS logic level FET

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PHILIPS

飞利浦

PHD36N03LT

N-channel TrenchMOS logic level FET

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PHILIPS

飞利浦

N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE

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UTC

友顺

PHD36N03LT产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    PHD36N03LT

  • 功能描述

    两极晶体管 - BJT TAPE13 MOSFET

  • RoHS

  • 制造商

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性

    PNP 集电极—基极电压

  • VCBO

    集电极—发射极最大电压

  • VCEO

    - 40 V 发射极 - 基极电压

  • VEBO

    - 6 V

  • 增益带宽产品fT

    直流集电极/Base Gain hfe

  • Min

    100 A

  • 安装风格

    SMD/SMT

  • 封装/箱体

    PowerFLAT 2 x 2

更新时间:2026-7-29 10:19:00
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