| 型号 | 功能描述 | 生产厂家 企业 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
SFU6N60 | MOSFET | HI-SEMICON 深鸿盛电子 |   | |
Avalanche Energy Specified DESCRITION · Designed for high efficiency switch mode power supply. FEATURES · Drain Current –ID= 6A@ TC=25℃ · Drain Source Voltage-: VDSS= 600V(Min) · Static Drain-Source On-Resistance : RDS(on) = 1.2Ω (Max) · Avalanche Energy Specified · Fast Switching · Simple Drive Requirements | ISC 无锡固电 | | ||
6.2 Amps, 600/650 Volts N-CHANNEL MOSFET DESCRIPTION The UTC 6N60 is a high voltage power MOSFET and is designed to have better characteristics, such as fast switching time, low gate charge, low on-state resistance and have a high rugged avalanche characteristics. This power MOSFET is usually used at high speed switching applications | UTC 友顺 | | ||
N-CHANNEL POWER MOSFET 文件：460.3 Kbytes Page：6 Pages | ZSELEC 淄博圣诺 | | ||
N-Channel Power MOSFET 文件：486.21 Kbytes Page：10 Pages | NELLSEMI 尼尔半导体 | | ||
N-Channel 600V (D-S) Power MOSFET 文件：1.0803 Mbytes Page：9 Pages | VBSEMI 微碧半导体 | |
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
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2021-6-23SFXG50UZ502深圳市光华微科技有限公司18138231376
联系人：刘冬英 公司电话：0755-83203002 手机：18138231376 QQ号：1546282226、微信号：18138231376 公司名称：深圳市光华微科技有限公司 公司地址：深圳市福田区振兴路华匀大厦1栋712室
2019-5-6SG1503T-精密2.5伏参考...
描述 这种单片集成电路是一个完全独立的精密电压参考发生器，内部装饰为± 1％的准确度。需要较少比静态电流为2mA，这种装置可以提供10mA的过剩的总负载和线路引起的误差小于0.5％。另外本计画为电压精度，实现了内部修整温度系数的输出电压通常为10 ppm的/° C的因此，这些提法应用关键仪器和D很好的选择到一个转换器系统。该SG1503规定工作在整个军事环境温度范围-55 ° C至125 ° C，而在SG2503是专为-25 ° C至85 ° C和0℃的商业应用SG3503至70℃ 特征 ·输出电压调整到±1％ ·输入电压范围
2013-3-15
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