| 型号 | 功能描述 | 生产厂家 企业 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
SFT501 | 5 AMP 200 Volts HIGH SPEED PNP Transistor Features: • Radiation Tolerant • Fast Switching • High Frequency, 50 MHz Typical • BVCEO 150 Volts Min • High Linear Gain • Very Low Leakage and Saturation • 200ºC Operating Temperature • Gold Eutectic Die Attach • Designed for Complementary Use with SFT502 and SFT504 | SSDI |   | |
SFT501 | 5 A, 150 V PNP High Speed Power Transistor • Fast Switching\n• BVCEO 150 Volts Min\n• Low Saturation Voltage and Leakage\n• Gold Eutectic Die Attach\n• Designed for Complementary Use with SFT502/Gand SFT504/G; | SSDI | | |
SFT501 | HIGH SPEED PNP Transistor 文件：121.57 Kbytes Page：2 Pages | SSDI | | |
5 AMP 200 VOLTS PNP HIGH SPEED POWER TRANSISTOR Features: • Fast Switching • High Frequency, 80 MHz Typical • BVCEO 150 Volts Min • High Linear Gain • Low Saturation Voltage and Leakage • 200ºC Operating Temperature • Gold Eutectic Die Attach • Designed for Complementary Use with SFT502/G and SFT504/G | SSDI | | ||
5 AMP 200 VOLTS PNP HIGH SPEED POWER TRANSISTOR Features: • Fast Switching • High Frequency, 80 MHz Typical • BVCEO 150 Volts Min • High Linear Gain • Low Saturation Voltage and Leakage • 200ºC Operating Temperature • Gold Eutectic Die Attach • Designed for Complementary Use with SFT502/G and SFT504/G | SSDI | | ||
5 A, 150 V PNP High Speed Power Transistor • Fast Switching\n• BVCEO 150 Volts Min\n• Low Saturation Voltage and Leakage\n• Gold Eutectic Die Attach\n• Designed for Complementary Use with SFT502/Gand SFT504/G; | SSDI | | ||
0.5 AMP 800 - 1000 VOLTS NPN TRANSISTOR FEATURES: • Low Profile Surface Mount Package • 200oC Operating Eutectic Die Attach • BVCER and BVCBO to 1000V • Low Leakage at High Temperature • High Gain, Low Saturation • TX, TXV and Space Level screening available • Designed for Complimentary Use with SFT5094-4 | SSDI | | ||
0.5 AMP 800 - 1000 VOLTS NPN TRANSISTOR FEATURES: • Low Profile Surface Mount Package • 200oC Operating Eutectic Die Attach • BVCER and BVCBO to 1000V • Low Leakage at High Temperature • High Gain, Low Saturation • TX, TXV and Space Level screening available • Designed for Complimentary Use with SFT5094-4 | SSDI | | ||
0.5 AMP 800 - 1000 VOLTS NPN TRANSISTOR FEATURES: • Low Profile Surface Mount Package • 200oC Operating Eutectic Die Attach • BVCER and BVCBO to 1000V • Low Leakage at High Temperature • High Gain, Low Saturation • TX, TXV and Space Level screening available • Designed for Complimentary Use with SFT5094-4 | SSDI | | ||
5 AMP 200 VOLTS PNP HIGH SPEED POWER TRANSISTOR Features: • Fast Switching • High Frequency, 80 MHz Typical • BVCEO 150 Volts Min • High Linear Gain • Low Saturation Voltage and Leakage • 200ºC Operating Temperature • Gold Eutectic Die Attach • Designed for Complementary Use with SFT502/G and SFT504/G | SSDI | | ||
5 AMP 200 VOLTS PNP HIGH SPEED POWER TRANSISTOR Features: • Fast Switching • High Frequency, 80 MHz Typical • BVCEO 150 Volts Min • High Linear Gain • Low Saturation Voltage and Leakage • 200ºC Operating Temperature • Gold Eutectic Die Attach • Designed for Complementary Use with SFT502/G and SFT504/G | SSDI | | ||
5 AMP 200 VOLTS PNP HIGH SPEED POWER TRANSISTOR Features: • Fast Switching • High Frequency, 80 MHz Typical • BVCEO 150 Volts Min • High Linear Gain • Low Saturation Voltage and Leakage • 200ºC Operating Temperature • Gold Eutectic Die Attach • Designed for Complementary Use with SFT502/G and SFT504/G | SSDI | | ||
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0.5 AMP, 800 ??900 Volts NPN Transistor 文件：163.55 Kbytes Page：3 Pages | SSDI | | ||
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NPN Transistor | SSDI | | ||
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0.5 AMP, 800 ??900 Volts NPN Transistor 文件：163.55 Kbytes Page：3 Pages | SSDI | | ||
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PNP HIGH SPEED Power Transistor 文件：123.28 Kbytes Page：2 Pages | SSDI | | ||
PNP HIGH SPEED Power Transistor 文件：123.28 Kbytes Page：2 Pages | SSDI | | ||
HIGH SPEED PNP Transistor 文件：122.6 Kbytes Page：2 Pages | SSDI | | ||
HIGH SPEED PNP Transistor 文件：122.6 Kbytes Page：2 Pages | SSDI | | ||
HIGH EFFICIENCY RECTIFIERS(5.0A,50-400V)
| MOSPEC 统懋 | | ||
High-Speed Output Clamping Op Amp 文件：403.11 Kbytes Page：6 Pages | NSC 国半 | | ||
High-Speed Output Clamping Op Amp 文件：403.11 Kbytes Page：6 Pages | NSC 国半 | | ||
High-Speed Output Clamping Op Amp 文件：403.11 Kbytes Page：6 Pages | NSC 国半 | | ||
Silicon MOS IC 文件：38.69 Kbytes Page：3 Pages | PANASONIC 松下 | |
SFT501产品属性
- 类型
描述
- Ic [A]：
5.00
- Hfe min：
20
- Hfe typ：
N/A
- Hfe max：
70
- Pd [W]：
10.00
- t(off) min [nsec]：
N/A
- t(off) typ [nsec]：
450.00
- t(off) max [nsec]：
900
- fT min [MHz]：
40.00
- fT typ [MHz]：
60.00
- fT max [MHz]：
N/A
- Package：
TO-5
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
TDK/东电化 |
15+ROHS |
DIP |
374000 |
一级质量保证长期稳定提供货优价美 |
|||
TDK/东电化 |
24+ |
200 |
全新原装数量均有多电话咨询 |
||||
SILAN/士兰微 |
26+ |
SOT-343 |
43600 |
全新原装现货,假一赔十 |
|||
TE/泰科 |
24+ |
52500 |
只做全新原装进口现货 |
||||
JST/日压 |
2608+ |
/ |
209858 |
一级代理，原装现货 |
|||
JST |
18+ |
9800 |
代理进口原装/实单价格可谈 |
||||
JST |
2022.11 |
con |
6000 |
现货常备产品原装可到京北通宇商城查价格 |
|||
TDK/东电化 |
2450+ |
DIP |
8850 |
只做原装正品假一赔十为客户做到零风险!! |
|||
JST/日压 |
2409+ |
n/a |
5700 |
原装现货真实库存!量大特价! |
|||
JST |
22+ |
NA |
25000 |
专业配单,原装正品假一罚十,代理渠道价格优 |
SFT501规格书下载地址
SFT501参数引脚图相关
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- sp3232
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- smd
- sl11
- sk100
- sja1000
- sig
- sgm9115
- sg3525
- SFT6033
- SFT6032
- SFT5672
- SFT5671
- SFT5659
- SFT5333
- SFT5321
- SFT5154
- SFT5153
- SFT5152
- SFT5151
- SFT5097
- SFT5096
- SFT5095
- SFT5094
- SFT504
- SFT503-J
- SFT503/GR
- SFT503/G
- SFT503
- SFT502
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SFT501数据表相关新闻
SFR10EZPF5103
SFR10EZPF5103
2024-1-12SFV8R-3STBE1HLF
优势渠道
2023-1-29SFR9230BTM
SFR9230BTM
2021-7-23SFSD016GN3PM1TO-I-LF-010-SW3
SFSD016GN3PM1TO-I-LF-010-SW3
2021-6-23SFXG50UZ502深圳市光华微科技有限公司18138231376
联系人：刘冬英 公司电话：0755-83203002 手机：18138231376 QQ号：1546282226、微信号：18138231376 公司名称：深圳市光华微科技有限公司 公司地址：深圳市福田区振兴路华匀大厦1栋712室
2019-5-6SG1503T-精密2.5伏参考...
描述 这种单片集成电路是一个完全独立的精密电压参考发生器，内部装饰为± 1％的准确度。需要较少比静态电流为2mA，这种装置可以提供10mA的过剩的总负载和线路引起的误差小于0.5％。另外本计画为电压精度，实现了内部修整温度系数的输出电压通常为10 ppm的/° C的因此，这些提法应用关键仪器和D很好的选择到一个转换器系统。该SG1503规定工作在整个军事环境温度范围-55 ° C至125 ° C，而在SG2503是专为-25 ° C至85 ° C和0℃的商业应用SG3503至70℃ 特征 ·输出电压调整到±1％ ·输入电压范围
2013-3-15
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