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位置：首页 > IC中文资料第3676页 > SFT13

SFT13晶体管资料

  • SFT130别名：SFT130三极管、SFT130晶体管、SFT130晶体三极管

  • SFT130生产厂家：DIT

  • SFT130制作材料：Ge-PNP

  • SFT130性质：低频或音频放大 （LF）_输出极 （E）

  • SFT130封装形式：特殊封装

  • SFT130极限工作电压：24V

  • SFT130最大电流允许值：0.5A

  • SFT130最大工作频率：<1MHZ或未知

  • SFT130引脚数：3

  • SFT130最大耗散功率：1.33W

  • SFT130放大倍数：

  • SFT130图片代号：E-74

  • SFT130vtest：24

  • SFT130htest：999900

  • SFT130atest：0.5

  • SFT130wtest：1.33

  • SFT130代换 SFT130用什么型号代替：AC128K,AC153K,AC188K,AC193K,3AX55B,

SFT13价格

参考价格：￥2.3576

型号：SFT1341-C-TL-E 品牌：ON 备注：这里有SFT13多少钱，2025年最近7天走势，今日出价，今日竞价，SFT13批发/采购报价，SFT13行情走势销售排行榜，SFT13报价。
型号 功能描述 生产厂家 企业 LOGO 操作
SFT13

1.0 AMP. Super Fast Rectifiers

文件：65.129 Kbytes Page：2 Pages

TSC

台湾半导体

SFT13

1.0 AMP. Super Fast Rectifiers

文件：270.35 Kbytes Page：2 Pages

TSC

台湾半导体

SFT13

1.0 AMP_Super Fast Rectifiers

文件：548.31 Kbytes Page：2 Pages

TSC

台湾半导体

SFT1302

General-Purpose Switching Device Applications

General-Purpose Switching Device Applications Features • Motor drive application. • Low ON-resistance. • 4V drive.

SANYO

三洋

SFT1327

P-Channel Silicon MOSFET General-Purpose Switching Device Applications

General-Purpose Switching Device Applications Features • Low ON-resistance. • 4V drive.

SANYO

三洋

SFT1341

General-Purpose Switching Device Applications

Features • 1.8V drive.

SANYO

三洋

SFT1341

Single P-Channel Power MOSFET

Features • Low On-Resistance • High Speed Switching • Low Gate Charge • Low Gate Drive Voltage • ESD Diode-Protected Gate • Pb-free and RoHS Compliance

ONSEMI

安森美半导体

SFT1341-E

Single P-Channel Power MOSFET

Features • Low On-Resistance • High Speed Switching • Low Gate Charge • Low Gate Drive Voltage • ESD Diode-Protected Gate • Pb-free and RoHS Compliance

ONSEMI

安森美半导体

SFT1341-TL-E

Single P-Channel Power MOSFET

Features • Low On-Resistance • High Speed Switching • Low Gate Charge • Low Gate Drive Voltage • ESD Diode-Protected Gate • Pb-free and RoHS Compliance

ONSEMI

安森美半导体

SFT1341-TL-W

Single P-Channel Power MOSFET

Features • Low On-Resistance • High Speed Switching • Low Gate Charge • Low Gate Drive Voltage • ESD Diode-Protected Gate • Pb-free and RoHS Compliance

ONSEMI

安森美半导体

SFT1341-W

Single P-Channel Power MOSFET

Features • Low On-Resistance • High Speed Switching • Low Gate Charge • Low Gate Drive Voltage • ESD Diode-Protected Gate • Pb-free and RoHS Compliance

ONSEMI

安森美半导体

SFT1342

P-Channel Silicon MOSFET General-Purpose Switching Device Applications

General-Purpose Switching Device Applications Features • Motor drive application. • 4V drive.

SANYO

三洋

SFT1342

Power MOSFET

Features • Low On-Resistance • High Speed Switching • Low Gate Charge • ESD Diode-Protected Gate • Pb-free and RoHS Compliance

ONSEMI

安森美半导体

SFT1342

P-Channel Power MOSFET ??0V, ??2A, 62m, Single TP/TP-FA

Features • Low On-Resistance • High Speed Switching • Low Gate Charge • ESD Diode-Protected Gate • Pb-free and RoHS Compliance

ONSEMI

安森美半导体

SFT1342

P-channel Enhancement Mode Power MOSFET

Features  VDS= -60V, ID= -50A RDS(ON)

Bychip

百域芯

SFT1342-E

P-Channel Power MOSFET ??0V, ??2A, 62m, Single TP/TP-FA

Features • Low On-Resistance • High Speed Switching • Low Gate Charge • ESD Diode-Protected Gate • Pb-free and RoHS Compliance

ONSEMI

安森美半导体

SFT1342-E

Power MOSFET

Features • Low On-Resistance • High Speed Switching • Low Gate Charge • ESD Diode-Protected Gate • Pb-free and RoHS Compliance

ONSEMI

安森美半导体

SFT1342-TL-E

P-Channel Power MOSFET ??0V, ??2A, 62m, Single TP/TP-FA

Features • Low On-Resistance • High Speed Switching • Low Gate Charge • ESD Diode-Protected Gate • Pb-free and RoHS Compliance

ONSEMI

安森美半导体

SFT1342-TL-E

Power MOSFET

Features • Low On-Resistance • High Speed Switching • Low Gate Charge • ESD Diode-Protected Gate • Pb-free and RoHS Compliance

ONSEMI

安森美半导体

SFT1342-TL-W

Power MOSFET

Features • Low On-Resistance • High Speed Switching • Low Gate Charge • ESD Diode-Protected Gate • Pb-free and RoHS Compliance

ONSEMI

安森美半导体

SFT1342-W

Power MOSFET

Features • Low On-Resistance • High Speed Switching • Low Gate Charge • ESD Diode-Protected Gate • Pb-free and RoHS Compliance

ONSEMI

安森美半导体

SFT1345

Power MOSFET

Power MOSFET –100V, –11A, 275mΩ, P-Channel Single TP/TP-FA Features • ON-resistance RDS(on)1=210mΩ(typ.) • Input Capacitance Ciss=1020pF(typ.) • 4V drive • Halogen free compliance • Protection diode in

ONSEMI

安森美半导体

SFT1345

Power MOSFET 100V, 11A, 275m, P-Channel Single TP/TP-FA

Power MOSFET –100V, –11A, 275mΩ, P-Channel Single TP/TP-FA Features • ON-resistance RDS(on)1=210mΩ(typ.) • Input Capacitance Ciss=1020pF(typ.) • 4V drive • Halogen free compliance • Protection diode in

ONSEMI

安森美半导体

SFT1345

P-channel Enhancement Mode Power MOSFET

Features  VDS= -100V, ID= -13A RDS(ON)

Bychip

百域芯

SFT1345-H

Power MOSFET

Power MOSFET –100V, –11A, 275mΩ, P-Channel Single TP/TP-FA Features • ON-resistance RDS(on)1=210mΩ(typ.) • Input Capacitance Ciss=1020pF(typ.) • 4V drive • Halogen free compliance • Protection diode in

ONSEMI

安森美半导体

SFT1345-H

Power MOSFET 100V, 11A, 275m, P-Channel Single TP/TP-FA

Power MOSFET –100V, –11A, 275mΩ, P-Channel Single TP/TP-FA Features • ON-resistance RDS(on)1=210mΩ(typ.) • Input Capacitance Ciss=1020pF(typ.) • 4V drive • Halogen free compliance • Protection diode in

ONSEMI

安森美半导体

SFT1345-TL-H

Power MOSFET

Power MOSFET –100V, –11A, 275mΩ, P-Channel Single TP/TP-FA Features • ON-resistance RDS(on)1=210mΩ(typ.) • Input Capacitance Ciss=1020pF(typ.) • 4V drive • Halogen free compliance • Protection diode in

ONSEMI

安森美半导体

SFT1345-TL-H

Power MOSFET 100V, 11A, 275m, P-Channel Single TP/TP-FA

Power MOSFET –100V, –11A, 275mΩ, P-Channel Single TP/TP-FA Features • ON-resistance RDS(on)1=210mΩ(typ.) • Input Capacitance Ciss=1020pF(typ.) • 4V drive • Halogen free compliance • Protection diode in

ONSEMI

安森美半导体

SFT1350

General-Purpose Switching Device Applications

General-Purpose Switching Device Applications Features • ON-resistance RDS(on)1=45mΩ(typ.) • Input Capacitance Ciss=590pF(typ.) • 4.5V drive • Halogen free compliance

SANYO

三洋

SFT1350

P-Channel Power MOSFET 40V, 19A, 59m, Single TP/TP-FA

Features • ON-resistance RDS(on)1=45mΩ(typ.) • Input Capacitance Ciss=590pF(typ.) • 4.5V drive • Halogen free compliance • Protection diode in

ONSEMI

安森美半导体

SFT1350-H

P-Channel Power MOSFET 40V, 19A, 59m, Single TP/TP-FA

Features • ON-resistance RDS(on)1=45mΩ(typ.) • Input Capacitance Ciss=590pF(typ.) • 4.5V drive • Halogen free compliance • Protection diode in

ONSEMI

安森美半导体

SFT1350-TL-H

P-Channel Power MOSFET 40V, 19A, 59m, Single TP/TP-FA

Features • ON-resistance RDS(on)1=45mΩ(typ.) • Input Capacitance Ciss=590pF(typ.) • 4.5V drive • Halogen free compliance • Protection diode in

ONSEMI

安森美半导体

SFT1327

P-Channel Silicon MOSFET General-Purpose Switching Device Applications

ONSEMI

安森美半导体

SFT1341

General-Purpose Switching Device Applications

ONSEMI

安森美半导体

SFT1341-C-TL-W

MOSFET P-CH 40V 10A TP

ONSEMI

安森美半导体

SFT1342

P-Channel 60 V (D-S) MOSFET

文件：971.79 Kbytes Page：7 Pages

VBSEMI

微碧半导体

SFT1342-E

P-Channel MOSFET uses advanced trench technology

文件：1.22226 Mbytes Page：4 Pages

DOINGTER

杜因特

SFT1342-TL-E

P-Channel 60 V (D-S) MOSFET

文件：977.84 Kbytes Page：8 Pages

VBSEMI

微碧半导体

SFT1345

General-Purpose Switching Device Applications

文件：363.93 Kbytes Page：4 Pages

SANYO

三洋

SFT1350-E

P-Channel MOSFET uses advanced trench technology

文件：1.01605 Mbytes Page：4 Pages

DOINGTER

杜因特

SFT1350-TL-H

P-Channel 60 V (D-S) MOSFET

文件：971.54 Kbytes Page：7 Pages

VBSEMI

微碧半导体

SFT13G

1.0 AMP. Glass Passivated Super Fast Rectifiers

文件：62.78 Kbytes Page：2 Pages

TSC

台湾半导体

SFT13G

1.0 AMP. Glass Passivated Super Fast Rectifiers

文件：286.29 Kbytes Page：2 Pages

TSC

台湾半导体

SFT13G

1.0AMP. Glass Passivated Super Fast Rectifiers

文件：190.7 Kbytes Page：2 Pages

TSC

台湾半导体

SFT13G

Glass Passivated Super Fast Rectifiers

文件：377.74 Kbytes Page：4 Pages

TSC

台湾半导体

SFT13G

封装/外壳：T-18，轴向 包装：管件 描述：DIODE GEN PURP 150V 1A TS-1 分立半导体产品 二极管 - 整流器 - 单

TSC

台湾半导体

SFT13G A0G

封装/外壳：T-18，轴向 包装：带盒（TB） 描述：DIODE GEN PURP 150V 1A TS-1 分立半导体产品 二极管 - 整流器 - 单

TSC

台湾半导体

SFT13产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    SFT13

  • 功能描述

    整流器 1A,150V,35NS, SUPER FAST Rect

  • RoHS

    否

  • 制造商

    Vishay Semiconductors

  • 产品

    Standard Recovery Rectifiers

  • 反向电压

    100 V

  • 恢复时间

    1.2 us

  • 正向连续电流

    2 A

  • 最大浪涌电流

    35 A 反向电流

  • IR

    5 uA

  • 安装风格

    SMD/SMT

  • 封装/箱体

    DO-221AC

  • 封装

    Reel

SFT13供应商更多...

更新时间：2025-11-19 23:00:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
深圳市高捷芯城科技有限公司
SFT1342-TL-E
ON(安森美)
24+
标准封装
16648
全新原装正品/价格优惠/质量保障
询价
深圳市得捷芯城科技有限公司
SFT1342-TL-W
ON(安森美)
24+
NA/
8735
原厂直销,现货供应,账期支持!
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深圳市凌旭科技有限公司
SFT1307-S-TL-E
SANYO
2016+
TO252
6000
只做原装,假一罚十,公司可开17%增值税发票!
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深圳市威雅利发展有限公司
SFT1350-TL-H
ON
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一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力
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中天科工半导体（深圳）有限公司
SFT1305
SANYO/三洋
25+
TO-252
20300
SANYO/三洋原装特价SFT1305即刻询购立享优惠#长期有货
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深圳市金芯世纪电子有限公司
SFT1345-TL-H
ON/安森美
22+
SOT-252
100000
代理渠道/只做原装/可含税
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深圳市联世界科技有限公司
SFT1341-TL-E
ON
24+/25+
700
原装正品现货库存价优
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深圳市明嘉莱科技有限公司
SFT1307-TL-E
SANYO/三洋
24+
SOT252
990000
明嘉莱只做原装正品现货
询价
深圳市正纳电子有限公司
SFT1341-C-TL-E
ON(安森美)
23+
NA
20094
正纳10年以上分销经验原装进口正品做服务做口碑有支持
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深圳市美思瑞电子科技有限公司
SFT1342-W
ON/安森美
22+
N/A
12245
现货,原厂原装假一罚十!
询价

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    2023-1-29

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    SFR9230BTM

    2021-7-23

  • SFSD016GN3PM1TO-I-LF-010-SW3

    SFSD016GN3PM1TO-I-LF-010-SW3

    2021-6-23

  • SFXG50UZ502深圳市光华微科技有限公司18138231376

    联系人：刘冬英 公司电话：0755-83203002 手机：18138231376 QQ号：1546282226、微信号：18138231376 公司名称：深圳市光华微科技有限公司 公司地址：深圳市福田区振兴路华匀大厦1栋712室

    2019-5-6

  • SG1503T-精密2.5伏参考...

    描述 这种单片集成电路是一个完全独立的精密电压参考发生器，内部装饰为± 1％的准确度。需要较少比静态电流为2mA，这种装置可以提供10mA的过剩的总负载和线路引起的误差小于0.5％。另外本计画为电压精度，实现了内部修整温度系数的输出电压通常为10 ppm的/° C的因此，这些提法应用关键仪器和D很好的选择到一个转换器系统。该SG1503规定工作在整个军事环境温度范围-55 ° C至125 ° C，而在SG2503是专为-25 ° C至85 ° C和0℃的商业应用SG3503至70℃ 特征 ·输出电压调整到±1％ ·输入电压范围

    2013-3-15

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