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N?륝hannel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor

Product Summary: BVDSS 60V RDSON (MAX.) 55mΩ ID 6A UIS, Rg 100 Tested Pb‐Free Lead Plating & Halogen Free

EXCELLIANCE

杰力科技

isc N-Channel MOSFET Transistor

FEATURES ·Drain Current –ID= 55A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage- : VDSS= 60V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance : RDS(on) = 22mΩ(Max)@VGS= 10V ·100 avalanche tested ·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRIPTION ·motor drive, DC-DC con

ISC

无锡固电

isc N-Channel MOSFET Transistor

FEATURES ·Drain Current –ID=55A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage- : VDSS=60V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance : RDS(on) = 22mΩ(Max)@VGS= 10V ·100 avalanche tested ·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRIPTION ·motor drive, DC-DC conve

ISC

无锡固电

60V N-Channel MOSFET

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Fairchild

仙童半导体

60V N-Channel MOSFET

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Fairchild

仙童半导体

更新时间:2025-12-29 23:01:01
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  • SFR03EZPF1002

    製造商: ROHM Semiconductor 產品類型: 厚膜電阻器 - SMD RoHS: 詳細資料 封裝: Cut Tape 封裝: MouseReel 封裝: Reel 系列: SFR 電阻: 10 kOhms 額定功率: 100 mW (1/10 W) 耐受性: 1 %_ 溫度系數: 100 PPM / C 最低工作溫度: - 55 C 最高工作溫度: + 155 C 額定電壓: 50 V 外殼代碼 - in: 06

    2021-7-1