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isc N-Channel MOSFET Transistor

FEATURES ·Drain Current : ID= 59A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage : VDSS= 200V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance : RDS(on) = 0.04Ω(Max) @ VGS= 10V ·100 avalanche tested ·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRIPTION ·motor drive, DC-

ISC

无锡固电

Power MOS V is a new generation of high voltage N-Channel enhancement mode power MOSFETs.

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ADPOW

20A Schottky Barrier Rectifier

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更新时间:2025-12-31 12:07:01
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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23+
TO247
28888
原厂授权代理,海外优势订货渠道。可提供大量库存,详
APT
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主打螺丝模块系列
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模块原装主营-可开原型号增税票
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