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型号 功能描述 生产厂家 企业 LOGO 操作
F20M40CT

20A Schottky Barrier Rectifier

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SEMIWELL

矽门微

F20M40CT

20A Schottky Barrier Rectifier

SEMIWELL

矽门微

isc N-Channel MOSFET Transistor

FEATURES ·Drain Current : ID= 59A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage : VDSS= 200V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance : RDS(on) = 0.04Ω(Max) @ VGS= 10V ·100 avalanche tested ·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRIPTION ·motor drive, DC-

ISC

无锡固电

Power MOS V is a new generation of high voltage N-Channel enhancement mode power MOSFETs.

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ADPOW

20A Schottky Barrier Rectifier

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SEMIWELL

矽门微

F20M40CT产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    F20M40CT

  • 制造商

    SEMIWELL

  • 制造商全称

    SEMIWELL

  • 功能描述

    20A Schottky Barrier Rectifier

更新时间:2026-8-1 9:45:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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23+
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23+
QFN-16
31564
##公司主营品牌长期供应100%原装现货可含税提供技术

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